Analýza bipolárních tranzistorů s izolovaným hradlem
Loading...
Date
Authors
Karlovský, Juraj
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
ORCID
Abstract
Táto práca sa zaoberá výberom a optimalizáciou vhodných analytických metód pre charakte-rizáciu TIGBT (Trench Insulated Gate Bipolar Transistor, bipolárny tranzistor s izolovaným trench hradlom) štruktúr s použitím metód zobrazujúcich materiálové zloženie vzoriek. V teo-retickej časti sú popísané princípy použitých analytických metód a základné princípy činnosti študovaných TIGBT tranzistorov. Praktická časť sa zaoberá metodikou merania, následným spracovaním a vyhodnotením výsledkov meraní a návrhom optimálnych postupov meraní.
This thesis is focused on the selection and optimalization of suitable analytical methods for study of TIGBT (Trench Insulated Gate Bipolar Transistor) structures with a use of methods, that depict material composition of the studied sample. The theoretical part contain explana-tions of the analytical methods used for measurements and basic principle of operation of an TIGBT transistor. The practical part contain the methodic of measurements and the evaluation of the obtained data and design of optimal procedures in done experiments.
This thesis is focused on the selection and optimalization of suitable analytical methods for study of TIGBT (Trench Insulated Gate Bipolar Transistor) structures with a use of methods, that depict material composition of the studied sample. The theoretical part contain explana-tions of the analytical methods used for measurements and basic principle of operation of an TIGBT transistor. The practical part contain the methodic of measurements and the evaluation of the obtained data and design of optimal procedures in done experiments.
Description
Keywords
TIGBT , IGBT , SEM (skenovací elektrónový mikroskop) , EBIC (Electron Beam Induced Current) TOF–SIMS (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectroscopy) , kolektor , emitor , báza , trench , zdroj , hradlo , oxid. , TIGBT , IGBT , SEM (Scanning Electron Microscope) , EBIC (Electrone Beam Induced Current) , TOF- SIMS (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectroscopy) , collector , emitter , base , trench , gate , source , drain , oxide.
Citation
KARLOVSKÝ, J. Analýza bipolárních tranzistorů s izolovaným hradlem [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2016.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
sk
Study field
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda)
prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen)
prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen)
prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen)
prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen)
RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2016-06-22
Defence
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena