Transportní a šumové charakteristiky MIS struktury s aplikací na niob-oxidové kondenzátory

but.committeeprof. Ing. Lubomír Hudec, DrSc. (předseda) RNDr. Ladislav Mareček, CSc. (místopředseda) doc. Ing. Radovan Novotný, Ph.D. (člen) doc. Ing. Jiří Háze, Ph.D. (člen) Ing. Zdenka Rozsívalová (člen)cs
but.defenceStudent seznámil komisi s řešením své bakalářské práce a zodpověděl následující otázky: Otázky oponenta: - Popište, jak bude vypadat pásový diagram MIS struktury, pokud bude kondenzátor provozován v reverzním módu. Jakými mechanizmy dochází v reverzním módu ke transportu nosičů náboje. - Jaká byla hodnota konstanty úměrnosti, která byla na základě vztahu (1) použita při výpočtu tloušťky dielektrika? Otázky komise: - diskuze ohledně přesnosti výpočtu tloušťky dielektrikacs
but.jazykčeština (Czech)
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorSedláková, Vlastacs
dc.contributor.authorVelísek, Martincs
dc.contributor.refereeMajzner, Jiřícs
dc.date.created2010cs
dc.description.abstractCílem mé práce bylo studium vlastností niob-oxidových kondenzátorů. Kondenzátor typu NbO – Nb2O5 – MnO2 představuje strukturu typu MIS, kde anoda z NbO má kovovou vodivost a burel z MnO2 je polovodič. Kondenzátor zapojený v normálním módu představuje strukturu typu MIS zapojenou v závěrném směru, kdy přiložené napětí zvyšuje potenciálovou bariéru mezi polovodičem a izolantem. Zbytkový proud izolační vrstvou je určený Ohmickou vodivostí, Poole-Frenkelovou vodivostí a tunelováním. Při nízké intenzitě elektrického pole je dominantní Ohmická vodivost a Poole-Frenkelův mechanismus transportu náboje, při vyšší intenzitě elektrického pole je proud určen tunelováním. Na základě modelování naměřených VA charakteristik lze odhadnout efektivní tloušťku dielektrika Nb2O5 a určit podíl Poole-Frenkelova a tunelového proudu na transportu náboje.cs
dc.description.abstractThe aim of my work was the study of niob-oxide capacitor properties. Capacitor structure NbO-Nb2O5-MnO represents the M-I-S structure where NbO anod has metalic conductivity and MnO2 is semiconductor. The capacitor connected in the normal mode with the positive voltage on the NbO anode represents the MIS structure connected in the reverse direction, when the applied votlage increases the potencial barrier between the insulator Nb2O5 and semiconductor (MnO2). The charge carrier transport is the Nb2O5 layer is determined by the Poole-Frenkel mechanism and tuneling in the normal mode. Poole-Frenkel mechanism of the charge carrier transport is dominant for low electric field in the dielectric layer; tunneling current is dominant for the high electric field. We can estimate the effective thickness of the dielectric layer and the ratio between the Poole-Frenkel and tunelling current from the modeling of measured VA characteristics.en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationVELÍSEK, M. Transportní a šumové charakteristiky MIS struktury s aplikací na niob-oxidové kondenzátory [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2010.cs
dc.identifier.other32463cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/6499
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectNbO kondenzátorcs
dc.subjectMIS strukturacs
dc.subjectzbytkový proudcs
dc.subjectnízkofrekvenční šumcs
dc.subjectšum 1/fcs
dc.subjectNb2O5cs
dc.subjectNbO Capacitoren
dc.subjectMIS Structureen
dc.subjectLeakage Currenten
dc.subjectLow Frequency Noiseen
dc.subject1/f noiseen
dc.subjectNb2O5en
dc.titleTransportní a šumové charakteristiky MIS struktury s aplikací na niob-oxidové kondenzátorycs
dc.title.alternativeTransport and noise characteristics of MIS structure and their aplication on the NbO capacitorsen
dc.typeTextcs
dc.type.driverbachelorThesisen
dc.type.evskpbakalářská prácecs
dcterms.dateAccepted2010-06-14cs
dcterms.modified2010-07-13-11:45:13cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
sync.item.dbid32463en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.16 13:16:35en
sync.item.modts2025.01.15 11:46:11en
thesis.disciplineMikroelektronika a technologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektronikycs
thesis.levelBakalářskýcs
thesis.nameBc.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
Loading...
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
1.09 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Loading...
Thumbnail Image
Name:
review_32463.html
Size:
8.14 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_32463.html
Collections