Analýza transportních vlastností grafenových nanostruktur

Abstract

V této práci jsou analyzovány transportní vlastnosti grafenu. Ty jsou velmi závislé na dopování nosiči náboje. Počet nosičů náboje může být ovlivněn elektrickým polem, substrátem či povrchovou úpravou. Připravovány byly unipolární tranzistory (FET). Grafen vytvořený metodou chemické depozice (CVD) byl nakontaktován na zlaté struktury vytvořené elektronovou litografií (EBL). Sledována je závislost na elektrodové konfiguraci, hradlovém napětí a substrátu.Graphene transport properties are analysed in this thesis. They are strongly dependent on doping with charge carriers. The number of charge carriers can be influenced by electric field, substrate or surface adsorbates. The graphene field-effect transistor (FET) has been prepared. Graphene made by chemical vapor deposition (CVD) has been con tacted through gold structures made by electron beam lithography (EBL). Dependences on electrode configuration, gate voltage and used substrate are observed.