Návrh a testování vhodné metodiky pro čištění povrchů preparátů in situ pro elektronovou mikroskopii pomalými elektrony
| but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Kolíbal, Miroslav | cs |
| dc.contributor.author | Rudolfová, Zdena | cs |
| dc.contributor.referee | Vávra,, Ivo | cs |
| dc.date.created | 2012 | cs |
| dc.description.abstract | Tato práce se zabývá metodikou přípravy polovodičových vzorků pro pozorování dopova- ných struktur v rastrovacím elektronovém mikroskopu pomalými elektrony. V první části je podrobně zpracována teorie zobrazování povrchů pomocí elektronového svazku a rozdíly klasické rastrovací elektronové mikroskopie (SEM) a rastrovací elektronové mikroskopie pomalými elektrony (LVSEM). Je vysvětlen vznik kontrastu v SEM i LVSEM i teorie popisující vznik kontrastu různě dopovaných polovodičů. Druhá část obsahuje naměřená experimentální data. Jsou diskutovány výhody a nedostatky přípravy povrchu štípáním i fokusovaným iontovým svazkem (FIB), který byl shledán jako nejlepší způsob přípravy povrchu pro analýzu přesně určeného místa na vzorku. Nutné je použití co nejnižšího urychlovacího napětí závěrečného leštění FIB, ideálně 1 kV. | cs |
| dc.description.abstract | This thesis concentrates on the methodology of semiconductor samples preparation for low voltage scanning electron microscopy. In the first part a detailed theory of sample imaging using electron beam and difference between classical scanning electron microscopy (SEM) and low voltage scanning electron microscopy (LVSEM) is described. It is given a description of a contrast formation in SEM and LVSEM and theories describing a contrast formation of differently doped semiconductors. The second part contains experimental data. The advantages and disadvantages of cleavage and focused ion beam (FIB) milling as sample preparation techniques are discussed. FIB was found as the best method for sample preparation for the analysis of precisely defined location on the sample. It is necessary to use the lowest possible FIB accelerating voltage for final polishing, ideally 1 kV. | en |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | RUDOLFOVÁ, Z. Návrh a testování vhodné metodiky pro čištění povrchů preparátů in situ pro elektronovou mikroskopii pomalými elektrony [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2012. | cs |
| dc.identifier.other | 47248 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/4523 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | kontrast dopantů | cs |
| dc.subject | štípání | cs |
| dc.subject | FIB | cs |
| dc.subject | plasmatické čištění | cs |
| dc.subject | elektronová mikroskopie pomalými elektrony | cs |
| dc.subject | dopant contrast | en |
| dc.subject | cleavage | en |
| dc.subject | FIB | en |
| dc.subject | plasma cleaning | en |
| dc.subject | low voltage electron microscopy | en |
| dc.title | Návrh a testování vhodné metodiky pro čištění povrchů preparátů in situ pro elektronovou mikroskopii pomalými elektrony | cs |
| dc.title.alternative | Design and Testing of methodology for in-situ sample cleaning for low voltage electron microscopy | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | masterThesis | en |
| dc.type.evskp | diplomová práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2012-06-18 | cs |
| dcterms.modified | 2012-06-25-09:46:20 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
| sync.item.dbid | 47248 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2025.03.27 06:58:12 | en |
| sync.item.modts | 2025.01.15 16:31:58 | en |
| thesis.discipline | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
| thesis.level | Inženýrský | cs |
| thesis.name | Ing. | cs |