Příprava grafenu a výzkum jeho fyzikálních vlastností

but.committeeprof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (předseda) prof. RNDr. Bohuslav Rezek, Ph.D. (člen) RNDr. Martin Kalbáč, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Eduard Schmidt, CSc. (člen)cs
but.defencePráce, zejména její experimentální část a analytické zhodnocení výsledků, přispěla k novým poznatkům o elektrických vlastnostech grafénu. Výsledky byly publikovány v časopisech s IF. Teze odpovídají směrnici rektora.cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programFyzikální a materiálové inženýrstvícs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorDub, Petrcs
dc.contributor.authorProcházka, Pavelcs
dc.contributor.refereeRezek, Bohuslavcs
dc.contributor.refereeKalbáč,, Martincs
dc.date.created2018cs
dc.description.abstractTato dizertační práce je zaměřena na výrobu grafenových vrstev metodou chemické depozice z plynné fáze (Chemical Vapor Deposition – CVD) a jejich využití při výrobě a charakterizaci vlastností polem řízených tranzistorů. Teoretická část práce se převážně zabývá různými způsoby výroby grafenových vrstev a měřením jejich transportních vlastností. V experimentální části je nejdříve zkoumán růst polykrystalické struktury grafenu a jednotlivých grafenových zrn o velikosti až 300 m. Dále byl proveden růst grafenu na atomárně hladkých měděných substrátech, které byly vyrobeny za účelem zvýšení kvality grafenu. Následně byly z vytvořených vrstev vyrobeny polem řízené tranzistory a měřeny jejich transportní vlastnosti. Poslední dvě kapitoly se zabývají dopováním grafenu galliovými atomy a rentgenovým zářením. Zatímco během depozice galliových atomů na povrch grafenu dochází k jeho dopování vlivem přenosu náboje z gallia, ozáření grafenového polem řízeného tranzistoru rentgenovým svazkem vyvolává v dielektrické vrstvě ionizaci kladně nabitých defektů, které elektrostaticky grafenovou vrstvu dopují.cs
dc.description.abstractThis doctoral thesis is focused on the preparation of graphene layers by Chemical Vapor Deposition (CVD) and their utilization for fabrication and characterization of field effect transistors. The theoretical part of the thesis deals with different methods of graphene production and measurement of its transport properties. In the first part of the experimental section the growth of polycrystalline graphene and individual graphene crystals with sizes up to 300 m is investigated. Further, graphene layer was also grown on an atomically flat copper foils, which were fabricated in order to achieve the growth of graphene of higher quality. Subsequently, the transport properties of field effect transistors produced from the grown layers were measured. The last two chapters deal with a doping of graphene layer by gallium atoms and X-ray radiation. Whereas the deposition of gallium atoms on the graphene surface causes chemical doping of graphene layer by charge transfer, X-ray irradiation of graphene field effect transistors induces the ionization of positively charged defects in dielectrics, which electrostatically dope a graphene layer.en
dc.description.markPcs
dc.identifier.citationPROCHÁZKA, P. Příprava grafenu a výzkum jeho fyzikálních vlastností [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2018.cs
dc.identifier.other106708cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/70294
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectCVD grafencs
dc.subjectgrafenová zrnacs
dc.subjectpolem řízený tranzistorcs
dc.subjecttransportní vlastnostics
dc.subjectatomárně rovné fóliecs
dc.subjectdopování grafenucs
dc.subjectCVD grapheneen
dc.subjectgraphene crystalsen
dc.subjectfield effect transistoren
dc.subjecttransport propertiesen
dc.subjectatomically flat foilsen
dc.subjectgraphene dopingen
dc.titlePříprava grafenu a výzkum jeho fyzikálních vlastnostícs
dc.title.alternativeFabrication of Graphene and Study of its Physical Propertiesen
dc.typeTextcs
dc.type.driverdoctoralThesisen
dc.type.evskpdizertační prácecs
dcterms.dateAccepted2018-05-09cs
dcterms.modified2018-05-17-13:39:31cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
sync.item.dbid106708en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.27 14:43:07en
sync.item.modts2025.01.15 14:01:17en
thesis.disciplineFyzikální a materiálové inženýrstvícs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelDoktorskýcs
thesis.namePh.D.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 5 of 6
Loading...
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
5.65 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Loading...
Thumbnail Image
Name:
thesis-1.pdf
Size:
773.9 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
thesis-1.pdf
Loading...
Thumbnail Image
Name:
Posudek-Vedouci prace-stanovisko skolitele.pdf
Size:
25.65 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek-Vedouci prace-stanovisko skolitele.pdf
Loading...
Thumbnail Image
Name:
Posudek-Oponent prace-Prochazka VUTdizertaceposudekBR.pdf
Size:
485.61 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek-Oponent prace-Prochazka VUTdizertaceposudekBR.pdf
Loading...
Thumbnail Image
Name:
Posudek-Oponent prace-posudekDP.pdf
Size:
1.36 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek-Oponent prace-posudekDP.pdf
Collections