Příprava grafenových membrán vhodných pro depozici Ga
but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) | cs |
but.defence | Po otázkách oponenta bylo dále diskutováno: Vztah toku částic a sil, kterým částice působí na podložku. Vliv rozdílu tlaků na mechanickou stabilitu membrány. | cs |
but.jazyk | čeština (Czech) | |
but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
dc.contributor.advisor | Mach, Jindřich | cs |
dc.contributor.author | Severa, Jiří | cs |
dc.contributor.referee | Bartošík, Miroslav | cs |
dc.date.accessioned | 2019-06-27T11:27:23Z | |
dc.date.available | 2019-06-27T11:27:23Z | |
dc.date.created | 2019 | cs |
dc.description.abstract | Tato bakalářská práce se zabývá výrobou grafenových membrán, jenž by byly vhodné pro depozici atomů gallia. V první části charakterizujeme grafen. Druhá část je zaměřena na přípravu a zlepšení kvality procesu výroby grafenových vrstev pomocí atomárně hladkých Cu fólií. Ve třetí části jsou popsány grafenové membrány, techniky jejich výroby a specifické aplikace grafenových membrán. Ve čtvrté části je představeno rozhraní mezi galliovými a grafenovými vrstvami. Pátá část je praktická. Byl proveden růst grafenových vrstev na různých Cu fóliích, to vedlo k vyšší kvalitě grafenu rostlých na atomárně hladkých fóliích. Následně byla provedena výroba grafenových membrán a depozice atomů gallia. | cs |
dc.description.abstract | This bachelor’s thesis deals with the production of graphene membranes, which would be suitable for the deposition of gallium atoms. In the first part is characterized graphene. The second part is focused on preparation and improvement the production of graphene layers via atomically flat Cu foils. In the third part are described graphene membranes, techniques of their production and specific applications of graphene membranes. The fourth part introduced interface between gallium and graphene layers. The fifth part is the practical part. Graphene was grown on different Cu foils which resulted in higher quality graphene grown on smooth foils. Subsequently, the production of graphene membranes and deposition of gallium atoms were done. | en |
dc.description.mark | B | cs |
dc.identifier.citation | SEVERA, J. Příprava grafenových membrán vhodných pro depozici Ga [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2019. | cs |
dc.identifier.other | 117684 | cs |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/179520 | |
dc.language.iso | cs | cs |
dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
dc.subject | CVD grafen | cs |
dc.subject | atomárně hladké fólie | cs |
dc.subject | grafenové membrány | cs |
dc.subject | gallium | cs |
dc.subject | CVD graphene | en |
dc.subject | atomically flat foils | en |
dc.subject | graphene membrane | en |
dc.subject | gallium | en |
dc.title | Příprava grafenových membrán vhodných pro depozici Ga | cs |
dc.title.alternative | Preparation of graphene membranes for Ga deposition | en |
dc.type | Text | cs |
dc.type.driver | bachelorThesis | en |
dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
dcterms.dateAccepted | 2019-06-20 | cs |
dcterms.modified | 2019-06-21-14:08:44 | cs |
eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
sync.item.dbid | 117684 | en |
sync.item.dbtype | ZP | en |
sync.item.insts | 2021.11.12 23:04:55 | en |
sync.item.modts | 2021.11.12 22:00:08 | en |
thesis.discipline | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
thesis.level | Bakalářský | cs |
thesis.name | Bc. | cs |