Tomografická analýza polovodičových struktur metodou FIB-SIMS
but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen) | cs |
but.defence | Po otázkách oponenta bylo dále diskutováno: Energie primárních iontů Bi na vzorku. Student otázky zodpověděl. | cs |
but.jazyk | čeština (Czech) | |
but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
dc.contributor.advisor | Bábor, Petr | cs |
dc.contributor.author | Mičulka, Martin | cs |
dc.contributor.referee | Voborný, Stanislav | cs |
dc.date.created | 2020 | cs |
dc.description.abstract | Práce se zabývá tomografickou analýzou struktury prokovů pomocí metody FIB-SIMS pro elektrotechnický průmysl. Pomocí fokusovaného iontového svazku dochází v řezech k odprašování materiálu ze vzorku, což umožňuje odhalit vnitřní struktury k povrchovému zkoumání pomocí TOF-SIMS. Vzniká takto sekvence 2D snímků z jednotlivých řezů vzorkem, která je použita k tomografické rekonstrukci struktury prokovu. Je pojednáváno o optimalizaci metody FIB-SIMS aplikováním kyslíkového iontového svazku pro zvýšení iontového výtěžku a redukci artefaktů. Práce taky pojednává o pozorované nestabilitě emisního proudu bismutových iontů ze zdroje LMIS. | cs |
dc.description.abstract | This thesis deals with a tomographic analysis of the structure of through-silicon via utilizing TOF-SIMS; a method used in electrotechnical industry. A focused ion beam isused to create a cross section of a semiconductor to reveal its inner structure. Afterwards a newly created surface is analysed by TOF-SIMS to determine its chemical composition. A series of 2D images is created which are used for tomographic reconstruction of the through-silicon via. Moreover, the thesis deals with an optimization of FIB-SIMS method by employing oxygen ion beam for improvement of ionized sputter yield and for artifacts reduction. A measurement of instability of bismuth ion beam is demonstrated as well. | en |
dc.description.mark | B | cs |
dc.identifier.citation | MIČULKA, M. Tomografická analýza polovodičových struktur metodou FIB-SIMS [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2020. | cs |
dc.identifier.other | 125375 | cs |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/192261 | |
dc.language.iso | cs | cs |
dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
dc.subject | FIB-SIMS tomografie | cs |
dc.subject | SIMS | cs |
dc.subject | FIB | cs |
dc.subject | tomografie | cs |
dc.subject | through-silicon via | cs |
dc.subject | TSV | cs |
dc.subject | LMIS | cs |
dc.subject | LMIG | cs |
dc.subject | FIB-SIMS tomography | en |
dc.subject | SIMS | en |
dc.subject | FIB | en |
dc.subject | tomography | en |
dc.subject | through-silicon via | en |
dc.subject | TSV | en |
dc.subject | LMIS | en |
dc.subject | LMIG | en |
dc.title | Tomografická analýza polovodičových struktur metodou FIB-SIMS | cs |
dc.title.alternative | Tomographical analysis of semiconductor devices by FIB-SIMS | en |
dc.type | Text | cs |
dc.type.driver | bachelorThesis | en |
dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
dcterms.dateAccepted | 2020-07-16 | cs |
dcterms.modified | 2020-07-30-06:55:48 | cs |
eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
sync.item.dbid | 125375 | en |
sync.item.dbtype | ZP | en |
sync.item.insts | 2025.03.26 08:03:34 | en |
sync.item.modts | 2025.01.15 21:15:05 | en |
thesis.discipline | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
thesis.level | Bakalářský | cs |
thesis.name | Bc. | cs |
Files
Original bundle
1 - 3 of 3
Loading...
- Name:
- final-thesis.pdf
- Size:
- 8.71 MB
- Format:
- Adobe Portable Document Format
- Description:
- final-thesis.pdf
Loading...
- Name:
- appendix-1.au3
- Size:
- 15.1 KB
- Format:
- Unknown data format
- Description:
- appendix-1.au3
Loading...
- Name:
- review_125375.html
- Size:
- 10.18 KB
- Format:
- Hypertext Markup Language
- Description:
- file review_125375.html