but.committee	prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. (předseda) prof. Ing. Vladislav Musil, CSc. (člen) Ing. Zdeněk Bartoň, Ph.D. - oponent (člen) Doc. Ing. Miroslav Mejzlík, CSc. (člen) doc. Ing. Arnošt Bajer, CSc. (člen) doc. RNDr. Petr Sládek, CSc. - oponent (člen) prof. Ing. Tomáš Dostál, DrSc. (člen)	cs
but.jazyk	čeština (Czech)
but.program	Elektrotechnika a komunikační technologie	cs
but.result	práce byla úspěšně obhájena	cs
dc.contributor.advisor	Musil, Vladislav	cs
dc.contributor.author	Běťák, Petr	cs
dc.contributor.referee	Sládek,, Petr	cs
dc.contributor.referee	Bartoň,, Zdeněk	cs
dc.date.created	2009	cs
dc.description.abstract	Disertační práce představuje nové polovodičové struktury, které lze použít jako elektrostatické ochrany v integrovaných obvodech. Základem pro návrh zmíněných struktur se stala horizontální čtyřvrstvá tyristorová struktura, která byla dále modifikována tak, aby umožňovala variabilitu spouštěcího a udržovacího napětí v závislosti na rozměrech masky. Na základě výsledků z modelování byly vyrobeny vzorky těchto struktur a jejich vlastnosti byly ověřeny měřením. Dále byly Další navrženou ochranou byl systém s bipolárním tranzistorem jako spínačem elektrostatické ochrany. Tento přístup byl simulován a ověřován na vyrobených vzorcích. Výhody a nevýhody představených ochran jsou v práci rozebrány.	cs
dc.description.abstract	The thesis introduces new semiconductor structures that are used as protections against Electrostatic Discharge occuring in integrated circuits. The fundamental structure for modeling and simulation has been lateral Silicon Controlled Rectifier. This SCR structure has been modificated to enable tuning of the triggering and holding voltages by changing geometrical mask dimensions. On the base of modeling and simulation the new proposed structures have been published. Also several protection structures have been designed to be manufactured and measured on a testchip. The final electrical behavior has been verified by measurement. Finally, the focus has been aided to protection circuit with bipolar transistor. This approach has been also simulated and verified by measurement. Advantages and disadvantages of the proposed protection structures are commented in the thesis.	en
dc.description.mark	P	cs
dc.identifier.citation	BĚŤÁK, P. Modelování a návrh ESD ochran v integrovaných obvodech [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2009.	cs
dc.identifier.other	24945	cs
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11012/3938
dc.language.iso	cs	cs
dc.publisher	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií	cs
dc.rights	Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení	cs
dc.subject	ESD	cs
dc.subject	LVTSCR	cs
dc.subject	HVASCR	cs
dc.subject	VLSCR	cs
dc.subject	SCR	cs
dc.subject	tyristor	cs
dc.subject	DIAC	cs
dc.subject	TRIAC	cs
dc.subject	ESD	en
dc.subject	LVTSCR	en
dc.subject	HVASCR	en
dc.subject	VLSCR	en
dc.subject	SCR	en
dc.subject	tyristor	en
dc.subject	DIAC	en
dc.subject	TRIAC	en
dc.title	Modelování a návrh ESD ochran v integrovaných obvodech	cs
dc.title.alternative	Modelling and Design of the IC`s ESD Protection Structures	en
dc.type	Text	cs
dc.type.driver	doctoralThesis	en
dc.type.evskp	dizertační práce	cs
dcterms.dateAccepted	2009-12-18	cs
dcterms.modified	2009-12-18-13:50:48	cs
eprints.affiliatedInstitution.faculty	Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií	cs
sync.item.dbid	24945	en
sync.item.dbtype	ZP	en
sync.item.insts	2025.03.27 11:53:43	en
sync.item.modts	2025.01.17 13:59:38	en
thesis.discipline	Mikroelektronika a technologie	cs
thesis.grantor	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektroniky	cs
thesis.level	Doktorský	cs
thesis.name	Ph.D.	cs

Modelování a návrh ESD ochran v integrovaných obvodech

Files

Original bundle

Collections