Měření vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů

Simple item page
but.committeeprof. Ing. Valentýna Provazník, Ph.D. (předseda) prof. Ing. Tomáš Kratochvíl, Ph.D. (místopředseda) Ing. Jiří Dřínovský, Ph.D. (člen) doc. Ing. Jaromír Kolouch, CSc. (člen) Ing. Zbyněk Lukeš, Ph.D. (člen) doc. Ing. Jiří Petržela, Ph.D. (člen) Ing. Josef Halámek, CSc. (člen)cs
but.defenceStudent prezentuje výsledky a postupy řešení své bakalářské práce. Následně odpovídá na dotazy vedoucího a oponenta práce a na dotazy členů zkušební komise.cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorDřínovský, Jiřícs
dc.contributor.authorKaňa, Leošcs
dc.contributor.refereeŠebesta, Jiřícs
dc.date.created2009cs
dc.description.abstractV rámci zefektivnění měření vlastností tranzistorů, ať už unipolárních (FET) nebo bipolárních (BJT), v laboratorních podmínkách a tím jejich lepší pochopení v rámci probírané látky, je žádoucí mít k dispozici pracoviště respektive přípravek, umožňující tato měření s obměnitelnými měřenými prvky. Práce je zaměřena nejen na návrh a vývoj takovéhoto přípravku, ale zároveň obsahuje stručný popis základních parametrů a vlastností tranzistorů. Dále se práce zabývá realizací programů pro měření statických charakteristik tranzistorů v prostředí programu VEE 8.0 Pro. Výstupem by tedy měla být komplexní laboratorní úloha zaměřená na bipolární a unipolární tranzistory včetně navržených programů. K vývoji DPS přípravku byl použit návrhový systém Eagle. V práci je samozřejmě obsažená i teorie potřebná pro měření a programování měřicích přístrojů. Kromě změny měřeného prvku je zde možnost obměny zapojení tranzistoru v obvodu a to jak pro BJT (SE, SC, SB) tak pro unipolární JFET (SS, SG, SD) tranzistory.cs
dc.description.abstractIn terms of the better effectiveness in the sphere of transistor characteristics measuring, no matter unipolar (FET) or bipolar (BJT), in laboratory conditions and their better understanding in terms of thrash out a subject matter is desirable have to available workplace let us say preparation enabling this kind of measuring with modifiability wiring and with possibility to change measured component. This thesis isn‘t focused only on development of this kind of universal component for measuring but simultaneously contains brief summary about the theory and parameters of transistors. Next aim is the development and realisation of static characteristic measuring program in VEE 8.0 Pro environment. Finally the complex laboratory exercise has to be done for measuring of bipolar and unipolar transistor’s static characteristics include programs for automatic measuring. For developing of DPS was used developing system named Eagle which gives us instrument with sufficiently accuracy. In thesis is contained theory needed for measuring and programming. Except possibility of measured component change we can change transistor connection in circuit on the board. This change is available for BJT (CE, CB, CC) and unipolar JFET (CS, CG, CD) transistor’s.en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationKAŇA, L. Měření vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2009.cs
dc.identifier.other22015cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/3066
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectDeska plošných spojůcs
dc.subjectDPScs
dc.subjectNávrhový systémcs
dc.subjectBipolárnícs
dc.subjectUnipolárnícs
dc.subjectBJTcs
dc.subjectFETcs
dc.subjectSC (SD)cs
dc.subjectSB (SG)cs
dc.subjectSE (SS)cs
dc.subjectBázecs
dc.subjectEmitorcs
dc.subjectKolektorcs
dc.subjectDraincs
dc.subjectGatecs
dc.subjectSourcecs
dc.subjectStatické charakteristikycs
dc.subjectVEEcs
dc.subjectTransistor characteristicsen
dc.subjectPrinted circuit boarden
dc.subjectPCBen
dc.subjectDevelopment systemen
dc.subjectBJTen
dc.subjectFETen
dc.subjectCC (CD)en
dc.subjectCB (CG)en
dc.subjectCE (CS)en
dc.subjectBaseen
dc.subjectCollectoren
dc.subjectEmitteren
dc.subjectDrainen
dc.subjectGateen
dc.subjectSourceen
dc.subjectStatic characteristicen
dc.subjectVEEen
dc.titleMěření vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorůcs
dc.title.alternativeBasic measurement of bipolar and unipolar transistoren
dc.typeTextcs
dc.type.driverbachelorThesisen
dc.type.evskpbakalářská prácecs
dcterms.dateAccepted2009-06-15cs
dcterms.modified2009-07-07-11:45:09cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
sync.item.dbid22015en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.16 13:12:28en
sync.item.modts2025.01.15 15:15:18en
thesis.disciplineElektronika a sdělovací technikacs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav radioelektronikycs
thesis.levelBakalářskýcs
thesis.nameBc.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 3 of 3
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
1.15 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
appendix-1.rar
Size:
100.29 KB
Format:
Unknown data format
Description:
appendix-1.rar
Download
Thumbnail Image
Name:
review_22015.html
Size:
6.46 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_22015.html
Download
Collections
2009