Tok iontů na povrchy v kontaktu s kapacitně vázaným radiofrekvenčním výbojem
Loading...
Date
Authors
Kristek, Tomáš
Advisor
Referee
Mark
B
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
ORCID
Abstract
Tato diplomová práce zkoumá elektrické charakteristiky výbojů s kapacitní vazbou (CCP) v systémech pro plazmově asistovanou chemickou depozici z plynné fáze (PECVD), se zaměřením na pokročilé využití sondy OCTIV Suite 2.0 VI pro měření iontového toku. Experimenty byly prováděny ve dvou konfiguracích reaktorů (R2 a R4) s různým složením plynů: čistý argon, směs argonu s cyklopropylaminem a směsi CO/CH. Byly zjištěny lineární korelace mezi výkonem RF generátoru a klíčovými parametry plazmatu. Dodaný výkon byl konzistentně nižší než výkon generátoru kvůli ztrátám v obvodu. Iontový tok a DC samovolné předpětí rostly lineárně s výkonem. Charakteristiky napětí a proudu se lišily: R2 vykazoval nelineární trendy s přechody výbojových režimů, zatímco R4 se vyznačoval lineárním chováním. Měření impedance potvrdila kapacitní chování plazmatu. Složení plynu výrazně ovlivňovalo stabilitu výboje – směsi argonu s CPA byly stabilnější než čistý argon. Sonda OCTIV Suite 2.0 umožnila měření iontového toku, která dříve nebyla dostupná, a výsledky se úzce shodovaly s daty ze staršího systému sond. Tato shoda potvrdila přesnost nového systému a představuje významný pokrok v diagnostice plazmatu.
This thesis investigates the electrical characteristics of capacitively coupled plasma (CCP) discharges in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) systems, focusing on the advanced use of the OCTIV Suite 2.0 VI probe for ion flux measurements. Experiments were conducted using two reactor configurations (R2 and R4) with different gas compositions: pure argon, argon–cyclopropylamine, and CO/CH mixtures. Linear correlations were found between RF generator power and key plasma parameters. Delivered power was consistently lower than generator power due to circuit losses. Ion flux and DC self-bias voltage increased linearly with power. Current-voltage characteristics varied: R2 showed nonlinear trends with discharge mode transitions, while R4 exhibited linear behavior. Plasma impedance measurements confirmed capacitive behavior. Gas composition significantly affected discharge stability, with argon–CPA mixtures offering greater stability than pure argon. The OCTIV Suite 2.0 enabled previously unavailable ion flux measurements, which closely matched results from the older probe system. This agreement validated the new system’s accuracy, marking a significant advancement in plasma diagnostics.
This thesis investigates the electrical characteristics of capacitively coupled plasma (CCP) discharges in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) systems, focusing on the advanced use of the OCTIV Suite 2.0 VI probe for ion flux measurements. Experiments were conducted using two reactor configurations (R2 and R4) with different gas compositions: pure argon, argon–cyclopropylamine, and CO/CH mixtures. Linear correlations were found between RF generator power and key plasma parameters. Delivered power was consistently lower than generator power due to circuit losses. Ion flux and DC self-bias voltage increased linearly with power. Current-voltage characteristics varied: R2 showed nonlinear trends with discharge mode transitions, while R4 exhibited linear behavior. Plasma impedance measurements confirmed capacitive behavior. Gas composition significantly affected discharge stability, with argon–CPA mixtures offering greater stability than pure argon. The OCTIV Suite 2.0 enabled previously unavailable ion flux measurements, which closely matched results from the older probe system. This agreement validated the new system’s accuracy, marking a significant advancement in plasma diagnostics.
Description
Keywords
Kapacitně vázané plazma , Chemická depozice z plynné fáze , Plazmou zesílená chemická depozice z plynné fáze , Kapacitně vázané plazma , Plazmové polymery , Stěnová vrstva , DC Předpětí , Reaktor R2 , Reaktor R4 , Sonda OCTIV Suite 2.0 , Diagnostika plazmy , Tok iontů. , Capacitively coupled plasma , Chemical vapor deposition , Plasma-enhanced chemical vapor deposition , Capacitively coupled plasma , Plasma polymers , Sheath , DC Self-bias , Reactor R2 , Reactor R4 , OCTIV Suite 2.0 Probe , Plasma diagnostics , Ion Flux.
Citation
KRISTEK, T. Tok iontů na povrchy v kontaktu s kapacitně vázaným radiofrekvenčním výbojem [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2025.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
en
Study field
bez specializace
Comittee
prof. Dr. Ing. Zdeněk Kolka (předseda)
doc. Ing. Martin Štumpf, Ph.D. (místopředseda)
doc. Ing. Petr Kadlec, Ph.D. (člen)
doc. Mgr. Lenka Zajíčková, Ph.D. (člen)
doc. Dr. Ing. Pavel Horský (člen)
doc. Ing. Jiří Šebesta, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2025-06-10
Defence
Student prezentuje výsledky své diplomové práce.
Docent Štumpf se ptá, proč je dobré měřit tok iontů v plynech. Student vysvětluje důvody, uvádí příklad použití a přínos práce.
Profesor Kolka se ptá, proč je kapacita na snímku 4 kmitočtově závislá. Student vysvětluje důvody.
Docent Šebesta se ptá na důvod použití kmitočtu 13,56 MHz. Student odpovídá.
Docent Štumpf se ptá, jak je počítána/definována impedance plazmatu. Student vysvětluje.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
