Návrh bipolárního jádra integrovaného teplotního senzoru

Simple item page
but.committeeprof. Ing. Vladislav Musil, CSc. (předseda) Ing. Tomáš Bžoněk (místopředseda) prof. Ing. Dalibor Biolek, CSc. (člen) Ing. Miroslav Zatloukal (člen) doc. Ing. Pavel Šteffan, Ph.D. (člen)cs
but.defenceStudent seznámil státní zkušební komisi s cíli a řešením závěrečné práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Student se souhlasem komise prezentoval svou práci v anglickém jazyce.cs
but.jazykangličtina (English)
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorKledrowetz, Vilémen
dc.contributor.authorFránek, Jakuben
dc.contributor.refereeProkop, Romanen
dc.date.accessioned2019-04-03T22:51:19Z
dc.date.available2019-04-03T22:51:19Z
dc.date.created2018cs
dc.description.abstractCílem této práce je popsat možné způsoby realizace teplotního senzoru na křemíkovém čipu v běžných CMOS výrobních technologiích a představit konkrétní implementaci analogového jádra teplotního senzoru využívajícího bipolární tranzistory ve výrobní technologii TSMC 110. Techniky jako chopping, dynamic element matching nebo trimování byly použity k navržení obvodů, jejichž simulovaná 3 přesnost měření je ±3.5 °C bez trimování nebo ±0.6 °C s po jedné trimovací operaci napříč vojenským teplotním rozsahem. Navržené obvody zabírají pouze 0.012 mm čtverečních plochy čipu a jejich celkové parametry jsou srovnatelné s výsledky současných publikovaných prací.en
dc.description.abstractThe aim of this thesis is to describe the main possible ways of implementing a smart temperature sensor on a silicon chip in common CMOS process technologies and to design an analog front-end of a bipolar transistor based smart temperature sensor in TSMC 110 process technology. Techniques such as chopping, dynamic element matching or trimming have been utilized to design circuits whose simulated 3 measurement precision is ±3.5 °C untrimmed or ±0.6 °C after single point trim over the military temperature range. The designed circuits occupy as little as 0.012 mm squared of die area and their overall performance is comparable to the current state of the art.cs
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationFRÁNEK, J. Návrh bipolárního jádra integrovaného teplotního senzoru [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2018.cs
dc.identifier.other111750cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/81724
dc.language.isoencs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectteplotníen
dc.subjectsenzoren
dc.subjectCMOSen
dc.subjectbipolárníen
dc.subjectTSMC 110en
dc.subjectanalogovýen
dc.subjectIP jádroen
dc.subjecttemperaturecs
dc.subjectsensorcs
dc.subjectCMOScs
dc.subjectbipolarcs
dc.subjectTSMC 110cs
dc.subjectanalogcs
dc.subjectIP corecs
dc.titleNávrh bipolárního jádra integrovaného teplotního senzoruen
dc.title.alternativeIntegrated temperature sensor bipolar corecs
dc.typeTextcs
dc.type.driverbachelorThesisen
dc.type.evskpbakalářská prácecs
dcterms.dateAccepted2018-06-12cs
dcterms.modified2018-06-14-07:58:55cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
sync.item.dbid111750en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2021.11.12 17:58:52en
sync.item.modts2021.11.12 17:37:10en
thesis.disciplineMikroelektronika a technologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektronikycs
thesis.levelBakalářskýcs
thesis.nameBc.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 3 of 3
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
4.21 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
appendix-1.zip
Size:
12.14 MB
Format:
zip
Description:
appendix-1.zip
Download
Thumbnail Image
Name:
review_111750.html
Size:
4.38 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
review_111750.html
Download
Collections
2018