Selektivní růst GaN na modifikovaný substrát metodou FIB
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Práce se zabývá selektivním růstem krystalů GaN na SiO2. Teoretická část pojednává o charakteru růstu ultratenkých vrstev s důrazem na nitrid gallia a metody jeho přípravy. Teoretická část také obsahuje popis metody fokusovaného iontového svazku a základní principy dalších metod, které byly používány pro analýzu vzorků (AFM, XPS, fotoluminiscenční spektroskopie). Experimentální část se zabývá depozicí GaN na Si(111) s nativní vrstvou oxidu křemíku SiO2 (1-2 nm). Fokusovaným iontovým svazkem byly na substrátu vytvořeny vhodné struktury pro selektivní růst. Selektivního růstu bylo dosaženo pomocí metody postnitridace. Následně práce studuje principy unikátní metody pulzní depozice GaN, zejména ve vztahu k možnosti řízení velikosti krystalů GaN.
The thesis deals with the selective growth of GaN crystals on the SiO2 layer. The theoretical part discusses the type of growth of ultrathin layers with focus on gallium nitride and its manufacturing. Moreover the text deals with principles of the focused ion beam and basic principles of other further methods which were used for analyzing the samples (AFM, XPS, photoluminescence spectroscopy). Experimental part consists of depositions of GaN. The silicon wafer Si(111) with native oxide SiO2 (1-2 nm) was used as a substrate. Focused ion beam was utilized to manufacture suitable structures on the substrate. Selective growth was acomplished with the use of the postnitridation method. Method of the pulse deposition was introduced with focus on increasing the volume of crystals.
The thesis deals with the selective growth of GaN crystals on the SiO2 layer. The theoretical part discusses the type of growth of ultrathin layers with focus on gallium nitride and its manufacturing. Moreover the text deals with principles of the focused ion beam and basic principles of other further methods which were used for analyzing the samples (AFM, XPS, photoluminescence spectroscopy). Experimental part consists of depositions of GaN. The silicon wafer Si(111) with native oxide SiO2 (1-2 nm) was used as a substrate. Focused ion beam was utilized to manufacture suitable structures on the substrate. Selective growth was acomplished with the use of the postnitridation method. Method of the pulse deposition was introduced with focus on increasing the volume of crystals.
Description
Citation
MAREŠ, P. Selektivní růst GaN na modifikovaný substrát metodou FIB [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2012.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda)
prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen)
prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen)
prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen)
prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen)
prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen)
RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
Date of acceptance
2012-06-19
Defence
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení