Návrh napěťových referencí v BiCMOS procesu ONC18

Abstract

Tato bakalářská práce se zabývá návrhem napěťových referencí ve 180 nm technologii firmy ON Semiconductor se zaměřením na co možná nejnižší hodnotu napájecího napětí. V první části této práce jsou uvedeny teoretické předpoklady, které se týkají napěťových referencí. Další část pak představuje vybrané topologie, popisuje jejich funkci a postup při prvotním návrhu. V této části jsou také uvedeny výsledky, kterých bylo dosaženo po prvotním návrhu a po optimalizaci jednotlivých zapojení. Poslední část práce vyhodnocuje nejlepšího zástupce bandgapového etalonu v oblasti napájecího napětí, kde reference typu bandgap již není schopna pracovat.This bachelor's thesis deals with design of voltage references in 180 nm technology of the ON Semiconductor company with main focus on the lowest value of power supply. First part presents theoretical knowledge concerning voltage references. The next part introduces chosen topologies, describes their function and methods of initial design. In this part there are also shown results which were achieved after initial design and after optimization of all references. The last part appraises the best replacement for bandgap etalon in area of power supply, where bandgap reference can not work properly.