but.committee	prof. Ing. Vladislav Musil, CSc. (předseda) prof. Ing. RNDr. Josef Šikula, DrSc. (člen) prof. RNDr. Pavel Tománek, CSc. (člen) prof. RNDr. Vladislav Navrátil, CSc. (člen) doc. Ing. Jan Maschke, CSc. (člen) Prof. Ing. Karel Hájek, CSc. - oponent (člen) Prof. Ing. ladislav Štourač, Drsc. - oponent (člen) prof. Ing. Lubomír Grmela, CSc. (člen)	cs
but.jazyk	čeština (Czech)
but.program	Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika	cs
but.result	práce byla úspěšně obhájena	cs
dc.contributor.advisor	Grmela, Lubomír	cs
dc.contributor.author	Zajaček, Jiří	cs
dc.contributor.referee	Štourač, Ladislav	cs
dc.contributor.referee	Hájek, Karel	cs
dc.date.created	2009	cs
dc.description.abstract	Předmětem této práce je šumová spektroskopie detektorů (-záření a paprsků X) vyrobených na bázi CdTe. Vychází se ze sledování hladiny nízkofrekvenčního nadbytečného šumu při transportu náboje jak v časové tak ve frekvenční oblasti prostřednictvím spektrální hustoty výkonu (PSD) s logaritmickým rozlišením frekvenční osy. V práci je nově popsaný návrh měřící metody PSD, který je odvozený od diskrétní vlnkové transformace a dává srovnatelné výsledky s dříve užívanou analogovou technikou. Na námi vytvořený model monokrystalu CdTe je možno pohlížet jako na antiseriové spojení dvou Shottkyho diod s rezistorem mezi nimi. Ten pak představuje odpor v objemu vzorku polovodiče, který se mění v důsledku změny koncentrace nosičů při konstantních podmínkách jako je teplota nebo přiložené napětí či osvětlení. Při změně teploty se vzorek CdTe zpočátku chová jako kov. V důsledku změny pohyblivosti nosičů (děr nebo elektronů) pak začnou převládat vlastnosti polovodiče díky jejich tepelné generaci. Spektrální hustota výkonu nízkofrekvenčního šumu závisí na počtu volných nosičů ve vzorku. U všech zkoumaných vzorků byla hladina šumu 1/f mnohonásobně vyšší než se dá určit pomocí Hoogeho teorie. To je způsobeno nízkou koncentrací nosičů ve vyprázdněné vrstvě záporně polarizovaného kontaktu.	cs
dc.description.abstract	The main object of this work is noise spectroscopy of CdTe radiation detectors (-rays and X–rays) and CdTe samples. The study of stochastic phenomenon and tracing redundant low-frequency noise in semiconductor materials require long-term measurements in time domain and evaluate suitable power spectral densities (PSD) with logarithmic divided frequency axes. We have used the means of time-frequency analysis derived from the discrete wavelet transform (DWT) and we have designed the effective algorithm for PSD estimation, which is comparable with an original analog method. CdTe single crystal with Au contacts we can imagine as a series connection of two Schottky diodes with a resistor between them. The bulk resistance at constant temperature and other constant parameters changes due to the carrier concentration changing only. The p-type CdTe sample shows metal behavior with every temperature changes. Semiconductor properties of the sample begin to dominate just after some period of time. This behavior is caused by the hole mobility changing. The voltage noise spectral density of 1/f noise depends on the quantity of free carriers in the sample. All the studied samples have very high value of low frequency noise, much higher than it should have been according to Hooge’s formula. The excess value of low frequency noise is caused by the low carrier concentration within the depleted region.	en
dc.description.mark	P	cs
dc.identifier.citation	ZAJAČEK, J. Šumová spektroskopie detektorů záření na bázi CdTe [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2009.	cs
dc.identifier.other	24831	cs
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11012/4395
dc.language.iso	cs	cs
dc.publisher	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií	cs
dc.rights	Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení	cs
dc.subject	Měření šumu	cs
dc.subject	sub-pásmové kódování	cs
dc.subject	diskrétní vlnková transformace	cs
dc.subject	spektrální hustota výkonu	cs
dc.subject	nízkofrekvenční šum	cs
dc.subject	šum 1/f	cs
dc.subject	generačně – rekombinační šum	cs
dc.subject	CdTe	cs
dc.subject	přechod kov – polovodič	cs
dc.subject	VA charakteristiky	cs
dc.subject	depletiční oblast	cs
dc.subject	časová relaxace	cs
dc.subject	stárnutí materiálu.	cs
dc.subject	Noise Measurement	en
dc.subject	Sub-band Coding	en
dc.subject	Discrete Wavelet Transform	en
dc.subject	Power Spectral Density; Low Frequency Noise	en
dc.subject	1/f Noise	en
dc.subject	Generation – Recombination Noise	en
dc.subject	CdTe	en
dc.subject	Metal – Semiconductor Junction; VA Characteristics	en
dc.subject	Depleted Region	en
dc.subject	Relaxation Time	en
dc.subject	Material Ageing.	en
dc.title	Šumová spektroskopie detektorů záření na bázi CdTe	cs
dc.title.alternative	The Noise Spectroscopy of Radiation Detectors Based on the CdTe	en
dc.type	Text	cs
dc.type.driver	doctoralThesis	en
dc.type.evskp	dizertační práce	cs
dcterms.dateAccepted	2009-11-10	cs
dcterms.modified	2024-05-17-12:52:21	cs
eprints.affiliatedInstitution.faculty	Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií	cs
sync.item.dbid	24831	en
sync.item.dbtype	ZP	en
sync.item.insts	2025.03.27 11:53:53	en
sync.item.modts	2025.01.15 15:41:24	en
thesis.discipline	Mikroelektronika a technologie	cs
thesis.grantor	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav fyziky	cs
thesis.level	Doktorský	cs
thesis.name	Ph.D.	cs

Šumová spektroskopie detektorů záření na bázi CdTe

Files

Original bundle

Collections