Konstrukce spektroskopického systému pro systém reaktivního iontového leptání

Abstract

Záznam emisního spektra plazmatu během reaktivního iontového leptání umožňuje charakterizaci leptaných látek a kontrolu nad leptacím procesem. V rámci této diplomové práce je navržen spektroskopický systém v konfiguraci Czerny-Turner, pro použití na systému reaktivního iontového leptání. Vyvinutý spektroskop dosahuje rozlišení 1 nm v oblasti 350-800 nm. Zařízení bylo testováno během reaktivního iontového leptání křemíku.Measurement of absorption spectra of plasma during reactive ion etching enables characterization of etched species and control over the etching process. Aim of this diploma thesis is to design spectroscope with Czerny-Turner configuration for reactive ion etching system. Developed spectroscope achieves 1 nm resolution in 350-800 nm range. Device was tested during reactive ion etching of silicon.