but.committee	prof. RNDr. Vladimír Aubrecht, CSc. (předseda) doc. Ing. Ondřej Vítek, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radoslav Cipín, Ph.D. (člen) doc. Ing. Petr Baxant, Ph.D. (člen) Ing. Zdeněk Wolf (člen) doc. Ing. Pavel Drábek, Ph.D. - oponent (člen) prof. Ing. Jiří Lettl, CSc. - oponent (člen)	cs
but.defence	Obhajoba proběhla hybridní formou, kdy jeden z členů komise (oponent) byl připojen dálkově pomocí MS Teams. Průběh obhajoby byl nahráván, záznam je uložen na vědeckém oddělení. Online formou proběhlo i anonymní hlasování pomocí nástroje ADoodle. Protokol o hlasování je součástí zprávy o obhajobě. V rámci obhajoby doktorand seznámil komisi s výsledky své disertační práce, včetně vlastních přínosů. Po skončení prezentace doktoranda jeho školitel seznámil přítomné se svým hodnocením celého průběhu studia. Následovala diskuse k dotazům a připomínkám oponentů. Poté ve veřejné diskusi vystoupili s dotazy/připomínkami k disertační práci prof. Aubrecht, doc. Baxant, Ing. Wolf, prof. Lettl. Písemný záznam dotazů je přílohou protokolu. Všechny dotazy oponentů i v rámci veřejné diskuse byly doktorandem správně vypořádány. V neveřejné diskusi a po tajném hlasování komise konstatovala, že doktorand splnil podmínky par. 47 odst. 4 Zákona o vysokých školách č. 111/98 a lze mu tedy udělit titul doktor - Ph.D.	cs
but.jazyk	angličtina (English)
but.program	Silnoproudá elektrotechnika a elektroenergetika	cs
but.result	práce byla úspěšně obhájena	cs
dc.contributor.advisor	Vorel, Pavel	en
dc.contributor.author	Šír, Michal	en
dc.contributor.referee	Drábek,, Pavel	en
dc.contributor.referee	Lettl, Jiří	en
dc.date.created	2022	cs
dc.description.abstract	Táto práca je zameraná na analýzu súčastného stavu GaN polovodičovej techniky vo výkonovej elektronike a jej aplikáciu v DC/DC meničoch, optimalizovaných na účinnosť a vysokú objemovú hustotu výkonu s cielom použitia v serveroch a telekomunikačných zariadeniach. Teoretická časť analyzuje problémy a výzvy spojené s novou technológiou GaN, ako napríklad riadenie hradla pre rôzne vnútorné štruktúry dostupné na trhu, optimalizácia plošných spojov pre chladenie minimalizovaných púzdier pre povrchovú montáž s cielom minimalizovať parazitné prvky. V práci je zahrnutý presný výpočet strát pre aktívny usmerňovač realizovaný pomocou novej technológie GaN. Výsledky a nápady získané teoretickou analýzou rôznych problémov sú aplikované pri návrhu prototypu a overené sériou meraní, ktoré dokazujú výhody novej technológie a jej potenciál ovplyvniť aplikácie výkonovej elektroniky okolo nás. Zahrnutý je podrobný popis merania prúdu s veľkou šírkou pásma, fungovania regulačnej slučky a jej implementácie v digitálnom signálnom procesore.	en
dc.description.abstract	Focus of this thesis is the analysis of the current state of GaN semiconductor technology in power electronics and its application on DC/DC converter, optimized for high efficiency and high power density with the intention to use it in server and telecom applications. The theoretical part analyzes problems and challenges related to novel GaN technology, such as gate driving for various internal structures, layout optimization for cooling of minimized surface mount packages without constraining parasitic elements affecting switching performance. Precise losses calculation for totem-pole power factor correction converter using novel GaN technology is included. Results and ideas resulting from theoretical analysis of various problems are applied in the design of prototype and verified by series of measurements, proving the benefits of novel technology and its potential to impact power electronics applications around us. Deep description of current measurement technique with high bandwidth, control loop operation and its implementation in digital signal processor is included.	cs
dc.description.mark	P	cs
dc.identifier.citation	ŠÍR, M. Srovnání a optimalizace topologií pro DC/DC konverzi energie s použitím technologie GaN FET pro měniče s vysokou účinností a objemovou hustotou výkonu [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2022.	cs
dc.identifier.other	137332	cs
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11012/203991
dc.language.iso	en	cs
dc.publisher	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií	cs
dc.rights	Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení	cs
dc.subject	GaN polovodiče	en
dc.subject	Chladenie minimalizovaných púzdier pre povrchovú montáž	en
dc.subject	Nová metóda merania dynamického RDSon	en
dc.subject	Dynamický RDSon	en
dc.subject	Vysoko účinný menič s GaN	en
dc.subject	Gallium Nitride semiconductors	cs
dc.subject	Cooling of minimized surface mount devices	cs
dc.subject	Novel RDSon Measurement method	cs
dc.subject	Dynamic RDSon	cs
dc.subject	High Efficiency GaN half bridge	cs
dc.subject	GaN Totem Pole converter	cs
dc.title	Srovnání a optimalizace topologií pro DC/DC konverzi energie s použitím technologie GaN FET pro měniče s vysokou účinností a objemovou hustotou výkonu	en
dc.title.alternative	Comparison and Optimization of DC/DC Power Conversion Topologies Using GaN FET Technology for High Efficiency and Power Density Power Converters	cs
dc.type	Text	cs
dc.type.driver	doctoralThesis	en
dc.type.evskp	dizertační práce	cs
dcterms.dateAccepted	2022-03-16	cs
dcterms.modified	2024-05-17-12:54:24	cs
eprints.affiliatedInstitution.faculty	Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií	cs
sync.item.dbid	137332	en
sync.item.dbtype	ZP	en
sync.item.insts	2025.03.27 12:10:38	en
sync.item.modts	2025.01.15 17:03:20	en
thesis.discipline	bez specializace	cs
thesis.grantor	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav výkonové elektrotechniky a elektroniky	cs
thesis.level	Doktorský	cs
thesis.name	Ph.D.	cs

Srovnání a optimalizace topologií pro DC/DC konverzi energie s použitím technologie GaN FET pro měniče s vysokou účinností a objemovou hustotou výkonu

Files

Original bundle

Collections