Depozice Ga a GaN nanostruktur s kovovým jádrem

Abstract

Tato diplomová práce se zabývá přípravou GaN nanokrystalů s kovovým jádrem. V teoretické části této práce je představen materiál GaN se svými vlastnostmi a aplikacemi. Dále jsou uvedeny některé metody přípravy GaN, přičemž metoda MBE je popsána podrobněji. Dále je popsána depozice kovových nanočástic z koloidního roztoku a nejnovější metody zesílení luminiscence GaN struktur. Experimentální část je rozdělena na tři části odpovídající postupu přípravy GaN krystalů s Ag jádrem. V prvním kroku jsou Ag nanočástice naneseny na Si(111) substrát. Ve druhém kroku je optimalizován proces depozice Ga a v posledním kroku je nadeponované Ga transformováno na GaN. Po depozici Ga byly vzorky analyzovány pomocí SEM/EDX a SAM/AES. Vlastnosti připravených GaN krystalů s Ag jádrem byly studovány metodou XPS, fotoluminiscenční spektroskopií a Ramanovou spektroskopií.The presented thesis deals with preparation of GaN nanocrystals with a metal core. In the theoretical part of the thesis GaN with its properties and applications is introduced. Further, some of the preparation methods of GaN are presented, mainly focusing on MBE growth. Deposition of metal NPs from colloidal solution and the state of the art approaches to enhance luminescence of GaN based structures is discussed. The experimental part follows three steps of preparation of GaN crystals with the Ag core. In the first step the Ag NPs are deposited on the Si(111) substrate. In the second step the Ga deposition process is optimized and in the third step the deposited Ga is transformed into GaN. After the Ga deposition the samples were analyzed by SEM/EDX and SAM/AES. The properties of prepared GaN crystals with the Ag core were studied by XPS, photoluminescence and Raman spectroscopy.