CMOS kompatibilní piezoelektrický rezonátor s FET strukturou pro řízení vlastností grafenové monovrstvy

Simple item page
but.committeeprof.Ing. Aleš Richter, CSc. (předseda) prof. Ing. Radimír Vrba, CSc. (člen) prof.Ing. Miroslav Husák, CSc. (člen) Mgr. Otakar Frank, Ph.D. (člen) prof. Ing. Jaroslav Boušek, CSc. (člen)cs
but.defenceDisertační práce Ing. Gablecha se zabývá výzkumem nové struktury umožňující charekterizaci fyzikálních vlastností grafenu a dalších nových 2D materiálů při přesně řízených podmínkách. Práce má technologický charakter a je na vysoké odborné úrovni. Výzkum a vývoj nových struktur na báze grafenu je velmi aktuální. Komise pozitivně hodnotila formu disertační práce, která byla vypracováná jako velmi zdařilý soubor 8 komentovaných článků. Bylo zřejmé, že doktorand byl hlavním autorem článků. Student zodpověděl na všechny dotazy komise úspěšně a uspokojivě.cs
but.jazykangličtina (English)
but.programPokročilé materiály a nanovědycs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorPekárek, Janen
dc.contributor.authorGablech, Imrichen
dc.contributor.refereeFrank,, Otakaren
dc.contributor.refereeHusák,, Miroslaven
dc.date.created2018cs
dc.description.abstractPráce je zaměřena na výzkum nové struktury umožňující charakterizaci fyzikálních vlastností grafenu při přesně řízených podmínkách. Návrh spojuje MEMS piezoelektrický rezonátor spolu s Hall Bar/FET strukturou. Tento přístup umožňuje měnit vlastnosti grafenu odděleně nebo společně dvěma metodami. Mechanický způsob je založen na relativní deformaci způsobené rezonátorem, na kterém je umístěna grafenová monovrstva. Navrhovaná struktura umožňuje měřit vlastnosti grafenu vyvolané pouze změnou mechanického pnutí a frekvencí nucených kmitů bez vlivu vnějšího elektrického pole. Druhý přístup přidává možnost ovládat fyzikální vlastnosti grafenu pomocí elektrického pole FET struktury. Tato technika využívá grafenovou monovrstvu jako laditelný sensor pro molekulární detekci. Měření koncentrace v jednotkách ppb není konstrukčně ničím limitováno. Realizované frekvenčně laditelné piezoelektrické MEMS rezonátory s monovrstvou grafenu budou využitelné v mnoha oblastech pro detekci na molekulové úrovni. Výsledné struktury budou vyrobeny v souladu s požadavky na bio- a CMOS kompatibilitu.en
dc.description.abstractThis work proposes a new structure allowing characterization of graphene monolayer properties under precisely specified conditions. It combines MEMS piezoelectric resonator with Hall Bar/FET structure. This approach allows changing graphene properties separately or together via two methods. The mechanical way is based on induced strain from the resonator which is graphene monolayer situated on. It brings the opportunity to measure graphene properties induced by the changes of mechanical strain and frequency of forced vibrations without the influence from external electric field. The second way uses FET structure to influence graphene monolayer using an electric field from bottom gate. There is no limit to measure concentration in units of ppb in terms of structure design. This approach of fabrication CMOS-compatible and biocompatible tunable frequency-modulated piezoelectric MEMS resonators with graphene monolayer can be very useful in many fields for molecule level detection.cs
dc.description.markPcs
dc.identifier.citationGABLECH, I. CMOS kompatibilní piezoelektrický rezonátor s FET strukturou pro řízení vlastností grafenové monovrstvy [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. CEITEC VUT. 2018.cs
dc.identifier.other113326cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/136489
dc.language.isoencs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. CEITEC VUTcs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectMEMSen
dc.subjectpiezoelektrický rezonátoren
dc.subjectnitrid hlinitýen
dc.subjectgrafenen
dc.subjectrelativní deformaceen
dc.subjectFETen
dc.subjectCMOS kompatibilitaen
dc.subjectbiokompatibilitaen
dc.subjectMEMScs
dc.subjectpiezoelectric resonatorcs
dc.subjectaluminum nitridecs
dc.subjectgraphenecs
dc.subjectstraincs
dc.subjectFETcs
dc.subjectCMOS-compatibilitycs
dc.subjectbiocompatibilitycs
dc.titleCMOS kompatibilní piezoelektrický rezonátor s FET strukturou pro řízení vlastností grafenové monovrstvyen
dc.title.alternativeCMOS compatible piezoelectric resonator with FET structure for graphene monolayer properties modulationcs
dc.typeTextcs
dc.type.driverdoctoralThesisen
dc.type.evskpdizertační prácecs
dcterms.dateAccepted2018-10-10cs
dcterms.modified2018-11-09-12:44:13cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyCEITEC VUTcs
sync.item.dbid113326en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.27 11:38:30en
sync.item.modts2025.01.15 14:15:45en
thesis.disciplinePokročilé nanotechnologie a mikrotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. CEITEC VUT. Středoevropský technologický institut VUTcs
thesis.levelDoktorskýcs
thesis.namePh.D.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 5 of 6
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
32.63 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
thesis-1.pdf
Size:
4.57 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
thesis-1.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
Posudek-Vedouci prace-Posudek_vedouciho_Pekarek_bez_podpisu.pdf
Size:
122.61 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek-Vedouci prace-Posudek_vedouciho_Pekarek_bez_podpisu.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
Posudek-Oponent prace-Oponentni_posudek_Gablech_Frank.pdf
Size:
197.1 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek-Oponent prace-Oponentni_posudek_Gablech_Frank.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
Posudek-Oponent prace-Posudek_oponenta_Husak_bez_podpisu.pdf
Size:
194.96 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek-Oponent prace-Posudek_oponenta_Husak_bez_podpisu.pdf
Download
Collections
2018