Transportní vlastnosti grafenových vrstev během jejich přenosu

Abstract

Tato bakalářská práce je zaměřena na studium transportních vlastností grafenu, který byl vyroben metodou chemické depozice z plynné fáze (Chemical Vapor Deposition, CVD) na měděné fólii a následně přenesen na křemíkový substrát s 280 nm oxidu křemičitého. V práci byl zkoumán vliv různých rozpouštědel mědi a vliv plazmatického čištění křemíkových substrátů před nanesením grafenu na jeho výslednou kvalitu.This bachelor thesis is focused on the measurement of the transport properties of graphene, which was produced by chemical vapor deposition (CVD) method on a copper foil and subsequently transferred onto a silicon substrate covered by 280 nm of silicon dioxide. In this work we studied an influence of different types of copper etchants and influence of plasma cleaning of silicon substrates prior to the graphene deposition.