Detekce a studium krystalových defektů v Si deskách pro elektroniku

Simple item page
but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programAplikované vědy v inženýrstvícs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorUrbánek, Michalcs
dc.contributor.authorPáleníček, Michalcs
dc.contributor.refereeTichopádek, Petrcs
dc.date.created2012cs
dc.description.abstractTato diplomová práce se zabývá studiem a vyhodnocováním krystalografických defektů na povrchu křemíkových desek vyrobených Czochralského metodou. Zaměřuje se především na růstové defekty a kyslíkové precipitáty, které hrají významnou roli při vzniku vhodných nukleačních center pro růst vrstevných chyb. Růst vrstevných chyb v blízkosti povrchu křemíkových desek je podpořen jejich oxidací a selektivním leptáním. Takto výrazněné vrstevné chyby se označují jako OISF z anglického Oxidation Induced Stacking Fault. Prostorové rozložení OISF na desce dává zpětnou vazbu k procesu tažení monokrystalu křemíku a kvalitě povrchu desek. Dále je v této práci popis zařízení pro automatickou detekci a analýzu OISF, které bylo vyvinuto pro firmu ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm.cs
dc.description.abstractThe thesis deals with the study and analysis of crystallographic defects on the surface of silicon wafers produced by Czochralski method. It focuses primarily on growth defects and oxygen precipitates, which play an important role in the development of appropriate nucleation centers for growth of stacking faults. The growth of stacking faults near the surface of silicon wafers is supported by their oxidation and selective etching. Such a highlighted stacking faults are known as the OISF (Oxidation Induced Stacking Fault). Spatial distribution of OISF on the wafer gives feedback to the process of pulling silicon single crystal and wafers surface quality. Moreover the work describes the device for automatic detection and analysis of OISF, which was developed for ON Semiconductor company in Rožnov Radhoštěm.en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationPÁLENÍČEK, M. Detekce a studium krystalových defektů v Si deskách pro elektroniku [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2012.cs
dc.identifier.other51177cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/10650
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectkrystalografické defektycs
dc.subjectkřemíkcs
dc.subjectdefekty v křemíkucs
dc.subjectmonokrystalický křemíkcs
dc.subjectpolovodičový křemíkcs
dc.subjectCzochralského metodacs
dc.subjectvrstevné chybycs
dc.subjectprecipitace kyslíkucs
dc.subjectoxidové precipitátycs
dc.subjectOISFcs
dc.subjectcrystallographic defectsen
dc.subjectsiliconen
dc.subjectsilicon defectsen
dc.subjectmonocrystalline siliconen
dc.subjectsemiconductor siliconen
dc.subjectCzochralski methoden
dc.subjectstacking faultsen
dc.subjectoxygen precipitationen
dc.subjectoxide precipitatesen
dc.subjectOISFen
dc.titleDetekce a studium krystalových defektů v Si deskách pro elektronikucs
dc.title.alternativeDetection and analysis of crystal defects in Si wafer for electronicsen
dc.typeTextcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
dcterms.dateAccepted2012-06-18cs
dcterms.modified2012-06-25-09:46:21cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
sync.item.dbid51177en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.27 06:56:23en
sync.item.modts2025.01.15 21:57:36en
thesis.disciplineFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 3 of 3
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
3.92 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
appendix-1.zip
Size:
1.87 MB
Format:
zip
Description:
appendix-1.zip
Download
Thumbnail Image
Name:
review_51177.html
Size:
9.14 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_51177.html
Download
Collections
2012