Měření kapacity vysokonapěťových přechodů PN
| but.committee | prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. (předseda) doc. Ing. Jaroslav Kadlec, Ph.D. (místopředseda) Ing. Michal Pavlík, Ph.D. (člen) Ing. Radim Šneidr (člen) Ing. Michal Řezníček, Ph.D. (člen) | cs |
| but.defence | Student seznámil státní zkušební komisi s řešením své diplomové práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Dále odpověděl na otázky komise: 1) jaké přístroje byly pro měření použity? 2) jaký je rozdíl mezi vysokonapěťovým a nízkonapěťovým PN přechodem? 3) jaká je souvislost mezi koncentrací a hodnotou závěrného napětí u diod? 4) proč jsou u grafu závislosti změřené kapacity na závěrném napětí uvedeny 2 hodnoty pro napětí 1500 V? Proč jsou v grafu uvedeny i hodnoty, které nejsou uvedeny v tabulce naměřených hodnot? 5) jakým způsobem byla charakterisktika aproximována? | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Boušek, Jaroslav | cs |
| dc.contributor.author | Derishev, Anton | cs |
| dc.contributor.referee | Kosina, Petr | cs |
| dc.date.created | 2015 | cs |
| dc.description.abstract | Práce se zabývá měřením kapacity vysokonapěťových PN přechodů. Práce je rozdělena na část teoretickou a praktickou. Teoretická část podává pohled základních vlastností PN přechodů a metod měření kapacity přechodů PN, především metodou C-V měření. V praktické části práce je uvedeno několik druhů zapojeni měřicího obvodu a navržen vhodný způsob tohoto měření. Dále je diskutován výpočet základních parametrů - šířky báze a rezistivity. Dosažené výsledky byly porovnány s hodnotami získanými výpočtem z technologických parametrů přechodu. | cs |
| dc.description.abstract | The work deals with the capacitance measurement of high-voltage PN junctions. The work is divided into theoretical and practical parts. The theoretical part presents insight into the fundamental properties of PN junctions and methods for measuring of the capacitance of PN junctions, primarily by C-V measurement. In the practical part, several kinds of measuring circuits are introduced and a suitable method of measurement is found. The calculations of basic parameters - the width of the base and resistivity are presented and discussed. The results were compared with the values obtained by calculation from the technological parameters of the junction. | en |
| dc.description.mark | C | cs |
| dc.identifier.citation | DERISHEV, A. Měření kapacity vysokonapěťových přechodů PN [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2015. | cs |
| dc.identifier.other | 86080 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/40890 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | PN přechod | cs |
| dc.subject | měření kapacity | cs |
| dc.subject | bariérová kapacita | cs |
| dc.subject | vysoké napětí | cs |
| dc.subject | C-V měření | cs |
| dc.subject | výkonová polovodičová součástka | cs |
| dc.subject | PN junction | en |
| dc.subject | capacitance measurement | en |
| dc.subject | barrier capacitance | en |
| dc.subject | high voltage | en |
| dc.subject | C-V measurement | en |
| dc.subject | power semiconductor device | en |
| dc.title | Měření kapacity vysokonapěťových přechodů PN | cs |
| dc.title.alternative | Capacitance measurement of high-voltage PN junctions | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | masterThesis | en |
| dc.type.evskp | diplomová práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2015-06-09 | cs |
| dcterms.modified | 2015-06-15-07:22:58 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| sync.item.dbid | 86080 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2025.03.26 13:20:47 | en |
| sync.item.modts | 2025.01.15 19:12:39 | en |
| thesis.discipline | Mikroelektronika | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektroniky | cs |
| thesis.level | Inženýrský | cs |
| thesis.name | Ing. | cs |