LOGINOV, D. SPICE model struktury LDMOS [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2019.
Práce představuje finání naladěný model trazistorové struktury LDMOS. V úvodu práce je vysvětlen rozdíl mezi konvenčním MOS tranzistorem a tranzistorem typu LDMOS spolu s možnostmi jejich modelování, dále pak jsou představeny výsledky měření skutečné součástky a tvorba modelu krok za krokem. Všechny cíle definované v zadání byly tedy splněny. Celá práce je sepsána v anglickém jazyce na dobré úrovni. Práce dosahuje maximálního pořtu stran zejmena díky grafům, bez kterých toto téma zpracovat nelze a jsou nezbytnou součástí zdokumentovaného výstupu. Student Dmitrii Loginov docházel na konzultace pravidelně, seznámil se s měřicími přistroji v laboratoři a osvojil si jejich používání při měření. Doporučenou literaturu si postupně nastudovával a poctivě se na ni odkazuije v této práci. Byl aktivní a tímto projektem posunul své odborné schopnosti tak, že je nyní schopen se zapojit do vývoje podobných modelů na profesionální úrovni. Tato práce může být vhodnou didaktickou pomůckou v postupu ladění tranzistoru typu LDMOS.
Modelování vysokonapěťových laterátních tranzistorů v SPICE je stále otevřený problém, protože klasické SPICE modely z principu nepostihují některé jevy jako jsou napěťově závislý pinch-off, zpětné zotavení, a další. Jednou z možností je naprogramovat nový model například ve Verilog-A, který je podporován mnoha simulačními programy. Autor šel jinou cestou "tvarování" klasického modelu BSIM. Při obhajobě by měl zdůvodnit tuto volbu a vysvětlit, která konkrétní omezení z toho vyplynula. "Tvorba modelu" se pak redukovala na více méně algoritmický postup fitování parametrů na měřená data. Autor by měl vysvětlit, jak tato charakterizace probíhala, zda zcela "ručně" či s využitím nějakých SW nástrojů, a zda k této etapě přispěl vlastním tvůrčím řešením/vylepšením, nebo vše probíhalo podle předem daných standardů v ON Semiconductors. Z práce vyplývá, že všechny cíle zde vytýčené byly splněny. Autor musel nastudovat problematiku LDMOS vs. MOS, seznámit se s fyzikálními jevy, působícími výlučně v LDMOS, které nejsou uvažovány v klasických modelech, porovnat stávající modely, rozhodnout se pro optimální variantu, realizovat rozsáhlá měření DC charakteristik a proměřování napěťových závislostí příslušných kapacit, a nakonec provést dané charakterizace. Práce je kvalitně zpracovaná a odborně je na nadstandardní úrovni.
eVSKP id 119437