PLOT, V. Návrh extrémně nízkonapěťového operačního zesilovače [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2019.
Bakalářské práce se zabývá návrhem operačního zesilovače pracujícího s extrémně nízkým napájecím napětím a nízkou spotřebou. Práce splňuje požadavky zadání a dosažené parametry jsou přijatelné. Navržený OTA zesilovač je založen na principu bulk-driven MOS transistoru a je schopen pracovat s napájecím napětím 0,5 V. Struktura OTA byla dále rozšířena na DDA zesilovač pomocí multivstupního bulk-driven MOS transistoru, zásluhou toho je výsledná struktura velmi jednoduchá. Student chodil konzultovat návrh struktury pravidelně, je proto poněkud škoda, že vlastní text bakalářské práce mi byl předložen teprve tři dny před datem odevzdání. Z toho důvodu nebyl dostatečný časový prostor pro zlepšení finální verze práce a odstranění drobných nedostatků: např. kvalita obrázků mohla být lepší, v práci se nacházejí překlepy, na s. 31: „Na obr. 18 je operační zesilovač zapojen jako sledovač“ (namísto na obr. 19), na s. 39: „Výstupní signál je zobrazen na obr. 26.“ (namísto na obr. 27). Student splnil zadání, a proto práci doporučuji k obhajobě.
Student Vítězslav Plot se ve své bakalářské práci zabývá návrhem nízkonapěťového operačního zesilovače v technologii CMOS. Práce je rozdělena do tří kapitol a závěru. Bakalář se podle zadání zaměřil na rozbor činnosti unipolárních tranzistorů při nízkém napájecím napětí a v podprahovém režimu, zadání práce bylo rozsáhlé a náročné na samostatnou činnost studenta. Uchazeč vyšel z existujících řešení v literatuře a navrhl operační zesilovač, kde vstupní diferenční pár je buzen do substrátu (tzv. bulk-driven) a dále simuloval jeho vlastnosti v programu PSpice. Při návrhu použil technologii 0,18 um firmy TMSC. Délka práce je na spodní hranici přijatelnosti (celkem 42 strany). Citované zdroje se týkají tématu a jsou v dostatečném počtu pro bakalářskou práci. Zadání práce je splněno a výsledkem je fungující simulační model. Těžiště práce je ve vlastním návrhu a a v počítačové simulaci jeho vlastností (stejnosměrná, časová i kmitočtová analýza). Graficky i obsahově je bakalářská práce na průměrné úrovni, v detailech bohužel nacházíme mnoho nedůsledností. Především vadí příliš stručný způsob popisu a vyjadřování a slangový slovník. Kvalita výkladu klesá směrem ke konci zprávy, což ukazuje na nedostatek času při zpracování, včetně neodstraněných gramatických chyb. Chybí seznam zkratek a použitých veličin. Použitá literatura je citována třemi různými způsoby. I když se studentovi podařilo obvod navrhnout z pohledu struktury, pracovních bodů i rozměrů tranzistorů, tak v práci řada těchto údajů chybí. Simulační experimenty jsou nedostatečně popsány, včetně buzení a zátěže, chybí příloha s rozměry W/L jednotlivých tranzistorů. Po celkovém zhodnocení konstatuji, že předložená práce i přes uvedené výhrady splňuje požadavky kladené na bakalářskou práci, především z hlediska samostatnosti práce a použitelnosti výsledků, a proto ji doporučuji k obhajobě a navrhuji klasifikaci dostatečně / 55 bodů. Žádám, aby uchazeč při obhajobě předložil chybějící části, tabulku s rozměry tranzistorů a schéma simulačních experimentů.
eVSKP id 119442