DOLEŽEL, J. Elektronická zátěž malého výkonu [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2016.
Student splnil zadání práce, byl velmi iniciativní, pracoval do značné míry samostatně. Osvojil si jak práci s návrhovým systémem DPS, tak i programování mikrokontrolérů. Rovněž zařízení realizoval a oživil. Vlastní práce je přehledně členěna, bez překlepů. Po grafické stránce je práce až na špatně čitelné výstupy z programu MATLAB v pořádku.
Jádrem bakalářské práce byl návrh a realizace elektronické zátěže s digitálními regulačními obvody. Silové obvody s tranzistory MOSFET pracují v lineárním režimu a řídicí obvody umožňují zvolit VA charakteristiku zátěže typu konstantní proud, konstantní odpor nebo konstantní výkon, případně jiného typu (softwarová modifikace). Zadání bylo pro bakalářskou práci poměrně náročné a komplexní. Věcné hodnocení: Technické myšlenky a návrhové postupy uvedené v práci jsou konstruktivní a rozumně sestavené. Z práce je pak patrné, že autorovi se podařilo navrhnout a realizovat funkční zařízení, i když sám autor připouští možná budoucí vylepšení a doladění v oblasti řídicího software. Autor prokázal schopnost samostatné tvůrčí práce v oblasti elektroniky a také regulace. K práci mám několik drobných připomínek: 1) V elektrotepelném schématu na Obr. 3 (str. 31) by měl být pro větší výstižnost zakreslen spíše zdroj proudu (resp. ztrátového výkonu) a nikoliv zdroj napětí (resp. teploty čipu). Teplota čipu vznikne až jako napětí na uvedeném zdroji proudu, a to v závislosti na teplotě okolí a spádu teploty na sériové kombinaci tepelných odporů. 2) Na str. 26 se hovoří o rezistorech 10mOhm s malým teplotním šumem. Správný pojem je tepelný šum a tento šum je dán pouze uvažovaným frekvenčním rozsahem a teplotou, nelze ho tedy ovlivnit materiálem či technologií výroby a nemá tak smysl mluvit o rezistorech s malým tepelným šumem. 3) V práci by bylo vhodné uvést ilustrační obrázky popisované problematiky – hlavně schéma u popisu silového obvodu s tranzistory MOSFET (nejsou ani v příloze) a také konstrukční uspořádání. Tyto připomínky nejsou závažné. Oceňuji množství odvedené práce a konkrétní dosažené výsledky. Formální hodnocení: Práce je psána čtivě, kultivovaným jazykem a má pěknou grafickou úpravu. Škoda, že na straně 18 se vyskytuje hrubá gramatická chyba, která při čtení na okamžik naruší jinak celkový výborný dojem. Závěr: Práci doporučuji k obhajobě a hodnotím stupněm výborně.
eVSKP id 91282