DOROTÍK, D. Srovnání vlastností tenkých vrstev titanu, niklu a stříbra, využívaných v polovodičové technologii [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2018.
Práce je hodnocena na základě posudku konzultanta pana Ing. Martina Dorotíka. Účelem zadání tohoto tématu bylo věnovat se adhezním vlastnostem jednotlivých kovových vrstev mezi sebou a zároveň na podkladový křemíkový substrát, přičemž musí být zachovány základní elektrické parametry součástky. Pro hodnocení byl správně vybrán peeling test, který se běžně používá na technologických linkách pro zkoumání adhezních vlastností napařených vrstev, které jsou nejnáchylnější ke změně vlastností matriálů nanesených touto metodou. Důvodem je otvírání celé velké vakuové komory na atmosféru před každou výrobní várkou. Pro vyhodnocení elektrických vlastností byl využit jeden základní parametr IGBT součástky Vdson, který citlivě reaguje právě na odporové vlastnosti zmíněných kovových a křemíkových vrstev a jejich rozhraní. Výsledky této práce potvrdily předpoklad, že kontakt hliník polovodič je klíčový pro dodržení základních odporových vlastností IGBT struktur. Z výsledku je také patrné, že titanová vrstva, která má dobré adhezní vlastnosti na křemík není v tomto případě nezbytná. Odporové vlastnosti IGBT struktury, které byly vytvořeny vrstvami AlNiAg nevybočují z požadované elektrické distribuce. Experimenty také prokázaly dobré adhezních vlastnosti pro kombinaci těchto vrstev. Práce splnila účel a ukázala směr kudy se v tomto případě ubírat pro snížení nákladů na tento typ výrobku. Doporučuji k obhajobě.
Předmětem bakalářské práce byla oblast nanášení tenkých vrstev v polovodičové technologii pomocí vakuového napařování a naprašování. Dle zadání se měl student seznámit s fyzikálními metodami nanášení tenkých vrstev Ti, Ni, Ag a způsoby přípravy křemíkové desky pro nanášení těchto vrstev. Ze zadání to sice nevyplývá, ale zřejmě měl vrstvy i realizovat a vyhodnotit jejich vlastnosti pro využití v polovodičovém průmyslu. Úkol vyžadoval zpracování literatury z oblasti technologie tenkých vrstev a polovodičové struktury kov-polovodič. V této části mi přijde, že se student spíše rozepsal o CVD technikách nanášení tenkých vrstev na úkor důkladného prostudování fyzikálních technik nanášení vrstev vyplývajícího ze zadání. Navíc je zde uvedeno i několik nepřesností. Dále se student letmo zmiňuje o substrátech pro tenké vrstvy a pokračuje kapitolou zabývající se polovodičovými součástkami, kde se opět obšírněji věnuje základním polovodičovým součástkám namísto v práci realizované struktuře kov-polovodič. Práce na mne působí neuceleným dojmem, mezi jednotlivými částmi mi chybí logické propojení v návaznosti na zadání, což se projevuje i v experimentální části. V experimentální části práce se student věnuje použitým depozičním zařízením, měření tloušťky a výchozím materiálům pro nanášení tenkých vrstev. Zde mi chybí jakékoliv procesní informace o tom, jak byly vrstvy nanášeny a jaký byl použitý substrát, což považuji za zásadní. Naprosto nesmyslně se tu objevuje teoretická podkapitolka o křemíkových deskách. Rovněž se zde objevuje snímek řezu z rastrovacího elektronového mikroskopu s tloušťkami jednotlivých vrstev, u kterého student uvádí, že se jedná o spektrální analýzu ze „spektrálního elektronového mikroskopu“, ale žádné prvkové zastoupení zde vidět není a s uvedeným detektorem ani být vidět nemůže. Není vůbec jasné, zda se jedná o snímek struktury realizované v rámci práce nebo zda se jedná o příklad nějaké jiné struktury. Rovněž mi tu chybí informace o tom, jak byly připraveny křemíkové desky pro testování tloušťky pomocí profilometru. Specifikace použitých terčů pro naprašování tu rovněž nejsou zmíněny. V poslední kapitole experimentální části se student věnuje testům realizovaných vrstev. Zde jsem se konečně mezi řádky postupně dozvěděl, jaké vrstvy student deponoval a vyhodnocoval. Přehledná tabulka připravených a testovaných vzorků v práci chybí. Bez jakéhokoliv vysvětlení se v kapitole objevuje měření tloušťky různých vrstev dvěma různými způsoby s tím, že ač je v práci prezentováno více typů vzorků, tloušťka byla měřena jen na dvou z nich. Dále student uvádí test adheze nanesených vrstev k substrátu a test ohmického kontaktu mezi substrátem a nanesenou vrstvou, včetně několika komentářů k získaným výsledkům. Alespoň částečně ucelený pohled na práci se dá bohužel získat až ze samotného závěru práce, kde student uvádí některé další komentáře a zhodnocení, které však měly být podrobně uvedeny v předchozích kapitolách. I když to ze zadání nevyplývá, předpokládám, že původním cílem bylo testování multivrstvy Ti/Ni/Ag pro IGBT tranzistory. Zadání proto považuji za nevhodně formulované a práci tím pádem za splněnou. Formální zpracování bakalářské práce sice na první pohled svou strukturou odpovídá požadovanému standardu, nicméně při bližším pohledu čtenář narazí na spoustu překlepů, pravopisných chyb, špatně formulovaných vět, chybějících odkazů a dalších nesrovnalostí, které čtení práce značně komplikují. Není jasné, proč autor obrázek 2-6 popsal v angličtině. Literatura není v textu řazena chronologicky a odkaz na některé z uvedených literatur v textu chybí úplně. Seznam literatury nemá jednotnou formu. Navíc se v práci objevuje text psaný v první osobě, což se neslučuje s požadavky na psaní technických textů. Nevím, do jaké míry byla formální stránka práce konzultována s vedoucím práce, a proto nemohu jednoznačně určit, kde vznikl při zpracování práce problém. Na druhou stranu věřím, že svými výsledky práce přispěla k řešení problematiky vhodných metalických vrstev pro IGBT tranzistory na pracovišti konzultanta práce, a i přes výše uvedené nedostatky ji doporučuji k obhajobě a klasifikuji ji hodnocením 62 bodů (D)
eVSKP id 109939