CVEŠPER, S. Návrh Rail-to-Rail operačního zesilovače v technologii CMOS [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2016.
Cílem práce bylo navrhnout Rail-to-Rail operační zesilovač s koncovým stupněm pracujícím ve třídě AB s ohledem na vstupní nesymetrii obvodu a případně také minimální spotřebu. Náročnost zadání pro bakalářskou práci spočívá především v nutné znalosti problematiky běžně vyučované v magisterském studiu a také v ovládání poměrně komplexního návrhového systému Cadence. Práci student započal ihned po obdržení zadání a po celou dobu řešení pravidelně a často konzultoval, osobně či elektronicky, vždy byl na konzultace připraven. Je pravda, že v některých případech mohl projevit více rozhodnosti a samostatnosti, což však bylo zřejmě způsobeno snahou o co nejlepší celkový výsledek. V závěru práce student ještě vystupňoval aktivitu, neboť bylo třeba provést finální návrh v programovém prostředí simulátoru, které zvládnul výborně a zcela samostatně, jen s použitím dokumentace. Nad rámec zadání vypracoval také layout navrženého obvodu. Student pracoval hojně s literaturou, kterou si ve většině případů sám vhodně vybral. Celkově považují zadání práce za splněné, škoda jen, že při závěrečné finalizaci student ne úplně dostatečně zdokumentoval poměrně velké množství práce. Přesto navrhuji hodnocení práce stupněm B / 85
Předkládaná práce, zabývající se návrhem rail-to-rail opračního zesilovače (dále OZ) v technologii ONsemi I3T25, vyžadovala kromě detailního pochopení principu funkce zesilovacích bloků také seznámení se s rozsáhlým návrhovým softwarem. V práci student detailně popisuje dílčí části OZ a na základě jejich vlastností vybírá pro svůj návrh tu nejvhodnější možnost. Po obsahové stránce nemám k práci připomínky. Praktická část obsahuje dostatečné množství výpočtů a matematických odvození. Připomínku mám k části, kdy student kompenzoval problémy spojené s druhým pólem OZ pomocí přidaného kapacitoru CK1, u kterého zmiňuje v kapitole 4.4, že podobné použití nebylo v literatuře nikde nalezeno. Tato kompenzace souvisí s nastavením pracovního bodu výstupních tranzistorů, které je v návrhu provedeno velmi nevhodně. Pracovní bod tranzistoru NMOS je nastaven přes dvě napětí UGS tranzistoru PMOS a jedno NMOS. U NMOSu je situace podobná. Tím dochází velkému rozptylu pracovního bodů výstupních tranzistorů v závislosti na procesu a na napájecím napětí. V důsledku toho vznikají i problémy s pozicí druhého pólu, které student kompenzoval přidaným kapacitorem. Při tomto řešení se student odkazuje na literaturu, kde je však provedení jiné a to že pracovní bod výstupního NMOSu je nastaven rovněž přes tranzistory NMOS a je tím odstraněn problém s rozptylem procesu a druhého pólu OZ. V takovém případě není potřeba přidaný kompenzační kapacitor. Zde je škoda, že student neprovedl simulaci PSRR, která by na problém upozornila nízkou hodnotou. Z výsledných parametrů bych chtěl ocenit dosažení vysokého zesílení a také nízké napěťové nesymetrie. K formální stránce mám několik připomínek. V první řade použité symboly tranzistorů MOS neodpovídají normě, stejně tak označování fyzikálních veličin není podle normy psáno kurzívou. Některé odstavce nejsou zarovnány do bloku. Dále označování součástek – v textu je např. kondenzátor označen jako CK1 ale ve schématu jako Cc. A v textu Cc je ve schématu CM. Některé věty nejsou napsány nejvhodněji – např. věta „Použitá struktura nebyla použita“. Přes výše uvedené výtky se jedná o dobrou práci. Hodnocení C/70 bodů.
eVSKP id 94114