BUBLA, J. Band Gap - přesná napěťová reference [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2009.
Zadáním diplomové práce bylo navrhnout a realizovat přesnou napěťovou referenci pro integrované obvody. Student objektivně zhodnotil několik topologií integrovaných napěťových referencí. V práci přehledně popsal klady a zápory jednotlivých zapojení a samostatně vybral a upravil zapojení tak, aby splnil požadavek na minimální plochu a nízkou proudovou spotřebu. Navržený obvod je velmi dobře optimalizován na plochu a výsledky měření realizovaného testovacího integrovaného obvodu prokazují splnění požadavků na přesnost napěťové reference. Student prokázal schopnost samostatně řešit zadání a vyhledat si potřebné informace. Během návrhu prokázal znalost práce s programy pro návrh integrovaných obvodů. Navrhl kompletní testovací integrovaný obvod obsahující dvě napěťové reference a testovací struktury a samostatně realizoval i celý layout tohoto obvodu. Testovací integrovaný obvod byl realizován v technologii ON Semiconductor I3T50. Student provedl rozsáhlé měření dosažených parametrů včetně teplotních závislostí. Realizovaný obvod je možné plně využít v praxi. Posudek vypracoval odborný vedoucí Dr. Ing. Pavel Horský, ON Design Czech, s.r.o.
| Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
|---|---|---|---|
| Splnění zadání | A | 50/50 | |
| Aktivita během řešení a zpracování práce (práce s literaturou, využívání konzultací, atd.) | A | 20/20 | |
| Formální zpracování práce | A | 20/20 | |
| Využití literatury | A | 10/10 |
Porovnáním odevzdané diplomové práce se zadáním je patrné, že student všechny vytyčené cíle splnil. Z teoretické i praktické části práce je patrné, že se student danou problematikou zabývá zřejmě již delší dobu a rozumí jí. V úvodních kapitolách je uveden princip napěťových referencí, jejich vybrané obvodové realizace a metody teplotní kompenzace. Student navrhl a kompletně ověřil (simulacemi i měřením) funkčnost Brokawovy reference, která bude zřejmě součástí většího projektu firmy ON Semiconductor. Grafické zpracování práce je vynikající. I přes značný rozsah práce a veškeré úsilí jsem nenalezl v práci zásadní ani jiné nedostatky. Pouze na straně 46 uprostřed (poslední věta kapitoly 7.2.2) patří místo Uref interval R1.
| Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
|---|---|---|---|
| Splnění požadavků zadání | A | 20/20 | |
| Odborná úroveň práce | A | 50/50 | |
| Interpretace výsledků a jejich diskuse | A | 20/20 | |
| Formální zpracování práce | A | 9/10 |
eVSKP id 21905