Fotoluminiscence zesílená plazmonovými polaritony

Abstract

Diplomová práce se zabývá fotoluminiscencí polovodičových materiálů zesílené plazmonovými polaritony. Je popsána základní teorie interakce mezi lokalizovanými povrchovými plazmonovými polaritony a fotoluminiscenčními látkami. Dva mechanismy, které mohou vést k fotoluminiscenci zesílené plazmonovými polaritony jsou diskutovány. Následně je popsán návrh aparatury pro měření fotoluminiscence a způsob její realizace. Funkčnost aparatury je ověřena měřením fotoluminiscenčních spekter objemového GaN, nanokrystalického Si a CdTe kvantových teček. Nakonec je zkoumána metoda přípravy vzorků sestávajících z kovových nanokuliček a fotoluminiscenčně aktívních CdTe kvantových teček.The diploma thesis deals with plasmon-enhanced photoluminescence in semiconductors. Fistly, the basic theory of the interaction between localized surface plasmons and photoluminescent materials is described. Two mechanisms leading to plasmon-enhanced photoluminescence are discussed. Subsequently, the design of the apparatus for measuring photoluminescence is depicted and the way of its assembly described. Functionality of the apparatus is tested by measuring photoluminescent spectra of bulk GaN, nanocrystalline Si and CdTe quantum dots. Finally, the preparation method of samples consisting of metal nanospheres and photoluminescence active CdTe quantum dots is investigated.