Model tranzistoru MOSFET v programu SystemVision
Loading...
Date
Authors
Michálek, Branislav
Advisor
Referee
Mark
B
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
ORCID
Abstract
Táto bakalárska práca sa zaoberá modelovaním tranzistora MOS. Súčasťou teoretickej časti sú rozbor základnej štruktúry a fungovania MOS tranzistora, základy modelovania vo všeobecnosti, popis SPICE modelov LEVEL1 a LEVEL3 a spôsob získavania modelových parametrov pomocou optimalizačnej metódy. Realizačná časť je venovaná vytvoreniu statických modelov pre DC analýzu troch konkrétnych tranzistorov v podobe netlistu pre simulátory SPICE s použitím parametrov, ktoré boli získané optimalizačnou metódou v programe Matlab. Platnosť realizovaných modelov je následne overená porovnaním ich simulovaných charakteristík v programe SystemVision s charakteristikami uvedenými v datasheetoch tranzistorov.
This bachelor thesis deals with modeling of MOS transistor. The theoretical part of the thesis is dedicated to analysis of basic MOSFET structure and operation, basics of modeling in general, descriptions of SPICE models LEVEL1 and LEVEL3 and model parameters extraction by using the optimization technique. The realization part is dedicated to creation of static models for DC analysis for three specific MOS transistors in the form of netlist used in SPICE circuit simulators, using the model parameters, which have been obtained by using the optimization technique in Matlab. Validity of realized models is then verified by comparing of its characteristics, obtained from simulation in SystemVision program, with characteristics from transistor’s datasheets.
This bachelor thesis deals with modeling of MOS transistor. The theoretical part of the thesis is dedicated to analysis of basic MOSFET structure and operation, basics of modeling in general, descriptions of SPICE models LEVEL1 and LEVEL3 and model parameters extraction by using the optimization technique. The realization part is dedicated to creation of static models for DC analysis for three specific MOS transistors in the form of netlist used in SPICE circuit simulators, using the model parameters, which have been obtained by using the optimization technique in Matlab. Validity of realized models is then verified by comparing of its characteristics, obtained from simulation in SystemVision program, with characteristics from transistor’s datasheets.
Description
Keywords
Citation
MICHÁLEK, B. Model tranzistoru MOSFET v programu SystemVision [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2016.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Elektronika a sdělovací technika
Comittee
prof. Dr. Ing. Zbyněk Raida (předseda)
prof. Ing. Roman Maršálek, Ph.D. (místopředseda)
doc. Ing. Jiří Petržela, Ph.D. (člen)
Ing. Michal Kubíček, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Jiří Blumenstein, Ph.D. (člen)
Ing. Ivo Viščor, Ph.D. (člen)
Ing. Kamil Pítra, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2016-06-14
Defence
Student prezentuje výsledky a postupy řešení své diplomové práce. Následně odpovídá na dotazy vedoucího a oponenta práce a na dotazy členů zkušební komise.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena