Depozice Ga a GaN nanostruktur na grafenový substrát

Abstract

Tato diplomová práce se věnuje depozici Ga a GaN struktur na grafenový substrát vyrobený metodou mechanické exfoliace. Mechanická exfoliace byla provedena novou metodou použitím DGL Gel-Filmu s kineticky kontrolovanou adhezí. Gálium je deponované metodou molekulární svazkové epitaxe pomocí efuzní cely za UHV podmínek. Pro vznik GaN bylo nadeponované Ga dále nitridované. Struktury byly zkoumané pomocí optického mikroskopu, SEM, Ramanovy spektroskopie a fotoluminiscence.This diploma thesis is focused on deposition Ga and GaN structures on graphene fabricated by method of mechanical exfoliation. For mechanical exfoliation was used new method with using DGL Gel-Film with kinetically controlled adhesion. Ga is deposited by Molecular beam epitaxy with using eusion cell in UHV conditions. GaN was obtained by post-nitridation of Ga islands. These structures were investigated with optical microscope, SEM, Raman spectroscopy and photoluminiscence.