Charakteristiky polovodičového BSE detektoru elektronového mikroskopu

Abstract

Práce se zabývá charakterizací polovodičového detektoru zpětně odražených elektronů. Teoretická část popisuje dva typy elektronových mikroskopů, interakci primárního svazku se vzorkem a jednotlivé druhy elektronů a záření vznikající při interakci. Dále jsou shrnuty nejpoužívanější typy detektorů elektronů v rastrovacím elektronovém mikroskopu. Jsou popsány základní charakteristiky polovodičového detektoru zpětně odražených elektronů a metody jejich měření. Experimentální část se zabývá měřením charakteristik detektoru firmy Delong Instruments a jeho porovnáním s komerčně dostupnými detektory. Bylo provedeno měření voltampérové charakteristiky a proudu za temna, závislosti zisku na urychlovacím napětí a také časové odezvy detektoru.The thesis deals with the characterization of a semiconductor detector of backscattered electrons. The theoretical part describes two types of electron microscopes, the interaction of the primary beam with the sample and individual types of electrons and radiation arising during the interaction. The most used types of electron detectors in scanning electron microscope are summarized. The basic characteristics of the semiconductor backscattered electron detector and their measurement methods are described. The experimental part deals with measuring the characteristics of the detector made by Delong Instruments and comparing it with commercially available detectors. Volt-ampere characteristic and dark current, the dependence of the gain on the accelerating voltage, as well as the time response of the detector were measured.