Diagnostika vlastností polovodičových materiálů

Abstract

Tato práce se zabývá popisem základních vlastností polovodičových materiálů a metodami měření vlastností polovodiče. V první části práce jsou rozebrány elementární polovodiče, polovodičové sloučeniny a pásová struktura. V další části je popsáno vedení proudu v polovodičích, metody měření rezistivity. Práce je zaměřena na měření driftové pohyblivosti minoritních nosičů náboje pomocí metody Haynes-Shockley pro křemíkový vzorek polovodiče, vytvoření automatizovaného pracoviště ve vývojovém prostředí VEE Pro a měření rezistivity křemíkových vzorků.This thesis describes the basic properties of semiconductor materials and methods of their measuring. In the first part of this work are discussed elemental semiconductors, semiconductor compounds and the band structure. The next section describes current conduction in semiconductors, methods for measuring resistivity. This work is focused on the measuring drift mobility of minority charge carriers using the Haynes-Shockley method for a sample of silicon semiconductor, the creation of automated workplace in the development environment VEE Pro and resistivity measurements of silicon samples.