Souběžné měření povrchového potenciálu a transportní odezvy grafenových Hallových struktur - Štrba, Lukáš (Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství, 2020)
Grafén je polokov s nulovým pásom zakázaných energií. Pomocou hradlového napätia je možné meniť polohu jeho Fermiho hladiny a tým meniť koncentráciu voľných nosičov náboja. V tejto práci sme súbežne merali povrchový potenciál pomocou Kelvinovej sondovej silovej mikroskopie (KPFM) a transportnú odozvu grafénovej Hallovej štruktúry pri rôznych relatívnych vlhkostiach a pri priloženom hradlovom napätí. Taktiež sa pozorovala transportná odozva grafénovej Hallovej štruktúry po modifikácií metódou lokálnej anodickej oxidácie (LAO).

Graphene is a semimetal with zero band gap. Position of Fermi level can be changed by applied gate voltage, which results in a change of free carier concentration. This work focuses on a simultaneous measurement of surface potential by Kelvin probe force microscopy (KPFM) and transport response of graphene Hall bars in different relative humidities and with applying gate voltage. The transport response was also observed in case of graphene Hall bar structure modified by local anodic oxidation (LAO).
Simultaneous measurement of surface pontetial and transport response of graphene Hall bars
Keywords: grafén; KPFM; relatívna vlhkosť; hradlové napätie; LAO; transportné meranie; graphene; KPFM; relative humidity; gate voltage; LAO; transport measurements