PIKNA, Š. Depozice GaN na wolframový substrát [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2022.

Posudky

Posudek vedoucího

Čalkovský, Vojtěch

Student se v rámci bakalářské práce podílel na studiu růstu GaN nanostruktur připravovaných na wolframových substrátech. Tyto struktury se jeví jako velmi perspektivní pro přípravu zdrojů elektronů studených katod. Během práce se student zabýval přípravou wolframových hrotů vhodných pro depozici GaN nanostruktur. Následně provedl sérii depozic Ga a GaN nanostruktur na zmíněné hroty. Dále student ověřil měřením vhodnost GaN nanostruktur připravených na substrátu mědi pokrytém grafenem pro vývoj elektronových emisních trysek. Student byl při práci samostatný a dokázal se dobře zorientovat v nové problematice. Student splnil stanovené cíle bakalářské práce, a proto jej hodnotím stupněm B.

Dílčí hodnocení
Kritérium Známka Body Slovní hodnocení
Splnění požadavků a cílů zadání A
Postup a rozsah řešení, adekvátnost použitých metod C
Vlastní přínos a originalita B
Schopnost interpretovat dosažené výsledky a vyvozovat z nich závěry B
Využitelnost výsledků v praxi nebo teorii A
Logické uspořádání práce a formální náležitosti B
Grafická, stylistická úprava a pravopis A
Práce s literaturou včetně citací A
Samostatnost studenta při zpracování tématu C
Navrhovaná známka
B

Posudek oponenta

Piastek, Jakub

Bakalářská práce Štěpána Pikny je věnována problematice zabývající se depozicí GaN krystalů na wolframový substrát. Práce je dělena do sedmi kapitol včetně úvodu a závěru. Rešeršní část je zpracována v kapitolách dvě a tři. Je věnována popisu elektronových zdrojů, epitaxnímu růstu ultratenkých vrstev a charakteristikám GaN a wolframu. Experimentální část začíná čtvrtou kapitolou, která je věnována výrobě wolframových hrotů, kdy jsou hledány optimální parametry ovlivňující délku hrotu a jeho průměr. Růst GaN krystalů je zpracován v kapitole pět a v poslední kapitole jsou zpracovány výsledky naměřených emisních spekter z GaN krystalů. V bakalářské práci je důležité pozitivně vyzdvihnout technologickou a časovou komplexnost přípravy vzorků. Dále také tato práce připravuje půdu pro vytváření nových elektronových trysek na bázi GaN. K práci mám následující výhrady: Celé uspořádání práce by mohlo být jasnější a také bych někdy volil jiný název kapitol. V textu je několikrát popisována jedna a ta samá věc (například emise elektronů). Často chybí citace na zmíněné problémy, jako je například výběr koncentrace roztoku pro leptání wolframových hrotů, hustota pokrytí galiových kuliček na vzorku v závislosti na teplotě substrátu, apod. Místy nejsou vysvětleny veličiny používané v rovnicích. Chybí často data, jejichž vyhodnocení je popisováno v textu nebo znázorněno v grafech (tabulka č.1, Obr. 19, apod). Některé části práce jsou mírně nesrozumitelné (např. str.35 – tvorba wolframových hrotů je nejlepší za pokojové teploty, str.37 – postup depozice atomů galia). Text obsahuje spoustu vět, u kterých by bylo potřeba je dovysvětlit. Práce také obsahuje řadu překlepů, gramatických chyb a vlastního názvosloví (např. „střední“ síla). Přes výhrady, které jsou v posudku práce vyjádřeny, se domnívám, že vzhledem k náročnosti a původnosti tématu bakalářské práce, student vypracoval postup, jak provádět depozici GaN na wolframový hrot a vytvářet tak vylepšený typ elektronových trysek.

Dílčí hodnocení
Kritérium Známka Body Slovní hodnocení
Splnění požadavků a cílů zadání C
Postup a rozsah řešení, adekvátnost použitých metod B
Vlastní přínos a originalita C
Schopnost interpretovat dosaž. výsledky a vyvozovat z nich závěry E
Využitelnost výsledků v praxi nebo teorii B
Logické uspořádání práce a formální náležitosti E
Grafická, stylistická úprava a pravopis D
Práce s literaturou včetně citací E
Navrhovaná známka
D

Otázky

eVSKP id 140781