CHOCHOLÁČ, J. Využití bypassových diod ve fotovoltaických panelech [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2011.

Posudek vedoucího

Křivík, Petr

Úkolem studenta v diplomové práci bylo seznámit se s I-U a P-U charakteristikami fotovoltaických modulů a s možnostmi jejich simulace a prozkoumat vliv bypassových diod na I-U a P-U charakteristiku částečně zastíněného fotovoltaického panelu. Vytvořit program simulující I-U a P-U charakteristiky fotovoltaických panelů s bypassovými diodami při zastínění panelu a porovnat charakteristiky s reálným měřením na fotovoltaických modulech. Student Bc. Jan Chocholáč zpracoval diplomovou práci v rozsahu 68 stran včetně seznamu použité literatury. V teoretické části je popsána teorie týkající se FV článků (P-N přechod, základní typy článků, elektrické parametry, ekvivalentní obvody popisující FV článek). V praktické části je pozornost věnována nejprve měření a vyhodnocení I-U a P-U charakteristik FV panelů plně ozářených i částečně zastíněných včetně popisu FV panelu a měřicího pracoviště. V další části je popsán program simulující I-U a P-U charakteristiky FV panelu. Pro správnou simulaci FV panelu v případě částečného zastínění bylo nutno nejprve samostatně zpracovat charakteristiky jednotlivých řetězců a výsledné charakteristiky pak spojit pomocí k tomu vyvinutého programu. Charakteristiky vytvořené v simulačním programu dobře odpovídají charakteristikám naměřeným na reálných FV panelech. Požadavky zadání student splnil v plném rozsahu, v teoretické části práce čerpal jak z domácí, tak ze zahraniční literatury. K řešení problémů přistupoval samostatně. Práce je sepsána pečlivě a přehledně, její vnější úprava a grafické zpracování jsou na dobré úrovni. Odborná úroveň odpovídá znalostem získaným v daném oboru magisterského studijního programu. Mám ovšem několik námětů na zlepšení práce. Pro lepší popis panelu by bylo vhodné do simulačního programu ještě přidat příspěvek od bypassových diod, i když jejich vliv se projevuje jen ve 2. kvadrantu (v matematickém popisu 2. kvadrantu je popsána pouze část popisující průraz samotného FV článku). Pro odstranění zubů na charakteristice by bylo vhodné nastavit v programu větší počet bodů, ze kterých se skládá I-U charakteristika řetězce (nyní je nastaveno 100 bodů, což se jeví pro poklesovou část I-U charakteristiky nedostatečné. Doporučuji zvýšit množství bodů I-U charakteristiky na 1000, i když doba pro výpočet vzroste 10x). Pro úplnost porovnání ještě postrádám simulaci I-U charakteristiky FV panelu částečně zastíněného bez bypassových diod (v práci je takhle zpracována jen polovina panelu - řetězec 18-ti článků - viz. obr. 41). Předložená diplomová práce a její zpracování splňují požadavky kladené na diplomovou práci. Výsledný simulační program je možno využít i ve výuce v předmětech, které se zabývají vlastnostmi FV panelů, např. Obnovitelné zdroje energie. Proto doporučuji práci k obhajobě a diplomovou práci studenta hodnotím známkou B.

Posudek oponenta

Vaněk, Jiří

Student se ve své práci, zadané ústavem elektrotechnologie FEKT VUT v Brně, zabývá problematikou vlivu zastínění fotovoltaických článků na I-U a P-U charakteristiky fotovoltaickách modulů, snižováním tohoto vlivu pomocí bypassových diod a návrhem programu v prostředí VEE Pro 8.0 simulující tyto charakteristiky. Práce je zpracována v rozsahu 68 stran včetně seznamu použité literatury, obrázků a tabulek. Práce je rozčleněna do sedmi hlavních kapitol. V prvních kapitolách se student zabývá přehledem o fotovoltaice, principem funkce, vlivem zastínění a náhradním ekvivalentním obvodem použitým v simulačních modelech fotovoltaických článků a modulů. Následující kapitola je věnována popisu elektrických vlastností fotovoltackých modulů. V praktické části student popisuje měření na reálném panelu a výsledky simulací. Práci lze vytknout typografiké chyby a nejednotnost použití značek pro napětí - Voc a V někdy Uoc a U atd. I po teoretické stránce je práce zatížena nepřesnostmi a nepravdami (str. 17 menší šířka zakázaného pásu = menší napětí – není pravda; poloviční proud, dvojnásobné napětí u vícepřechodové struktury také neplatí atd.). Dále pak velmi nevhodné použití řádových symbolů - mm čtvereční není 10 na -3 ale 10 na -6 (str. 27, 52, 57, 58). Dále je tu rozpor v popisu vlivu teploty, kdy na str. 20 je tvrzeno, že proud s teplotou mírně roste a na str. 49 mírně klesá. Přes tyto výhrady práce je sepsána pečlivě a přehledně, její vnější úprava a grafické zpracování jsou na dobré úrovni. Odborná úroveň odpovídá znalostem získaným v daném oboru magisterského studijního programu a předložená práce splňuje požadavky kladené na diplomovou práci a zadání diplomové práce bylo splněno. Práci doporučuji k obhajobě a hodnotím známkou dobře.

eVSKP id 40115