BOLCEK, M. Vytváření trenčů o submikronové šířce pro moderní výkonové součástky [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2019.
Diplomová práce řeší realizaci trenčových příkopů pro Schotkyho diodu určenou pro výkonové aplikace na polovodičových čipech. Byla realizována kompletně v On Semicoductor, pod vedením odborného konzultanta RNDr. Líbezného z téže firmy a rovněž experimentální práce probíhaly tamtéž. Nosnou částí je optimalizace fotolitografických postupů a za pozitivní je třeba označit skutečnost, že proběhlo úspěšné ověření v rámci výrobního bloku přímo na pracovišti ON Semicoductor v Rožnově pod Radhoštěm. Diplomant spolupracoval dle možností v průběhu zpracování práce a konzultoval metodický postup, takže práce je srozumitelná a splňuje požadavky na ni kladené. Jako připomínku ze strany vedoucího bych snad jen uvedl skutečnost, že i v této práci se projevil určitý časový tlak na dokončení, což so odráží v gramatickém a formálním zpracování práce, kde jsou určité rezervy. To však nesnižuje odbornou hodnotu této diplomové práce.
Student Bc. Martin Bolcek předložil velmi pěknou diplomovou práci vyznačující se dobrou logickou strukturou a s minimem překlepů. Teoretický úvod dává přímo náhled do problematiky, která je dále experimentálně řešena. Málo překlepů nesnižuje její hodnotu. Na str. 23. ...ze vztahu (7)... patří z obr. 3.7. Na str.25. , ....7.ř. zdola ...sleduje požití správné masky .... . Práce je dobře strukturovaná a ukazuje rovněž na dobré využití literatury. V závěru je učiněno rozhodnutí o optimálních parametrech technologie a doporučení k jejich početnímu ověření. Diplomová práce v plné míře splňuje zadání a hodnotím ji stupňem A
eVSKP id 120219