FILKO, P. Analogové funkční převodníky pro laboratorní výuku [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2019.
Student pracoval na vývoji laboratorního přípravku pro demonstraci nelineárních jevů v předmětu BPC-AE2. Zhotovený přípravek obsahuje několik modulů postavených na jednoduché čistě diskrétní tranzistorové topologii obvodů i složitější celky s integrovanými OZ. Unipolární tranzistorové topologie využívají diskrétní MOSFET tranzistory (do počtu 10ti kusů na topologii), kterými realizuje převodní charakteristiky typu druhá mocnina a odmocnina. Kubická funkce je řešena pomocí OZ stejně jako kompletní polynomiální převodní charakteristika umožňující nastavení koeficientů polynomu, kde jsou navíc přítomny analogové násobičky. Vysvětlení principu a návrhu je doplněno názornými výpočty s parametry reálných součástek a činnost modulů je ověřena simulacemi i experimentálně. Kvalitu práce snižují občasné v nízké kvalitě přebrané obrázky a nesprávné nebo nejednotné používání matematických operátorů (např. násobení reprezentováno křížkem, desetinnou tečkou, apod.). Jinak se po grafické stránce jeví práce jako velmi kvalitní. Vysvětlivky legendy některých obrázků nejsou jasné (kde je např. V(R12:1)?, str. 38). Experimentální výsledky potvrdily činnost, postrádám však jejich grafické porovnání (kde možno) s teorií či simulací. Rozhodně by si to takto kvalitní výsledky zasloužily. Připravená laboratorní úloha (podklady, protokol) může sloužit k zamýšlenému účelu. Během tisku se zřejmě vyskytla chyba, díky které vypadají některé spoje na několika DPS jako zkratované.
Práce je vcelku dobře zpracovaná a může přispět k seznámení se s analogovou elektronikou, avšak obsahuje řadu nepřesností, které naznačují, že autor informacím obsaženým v použitých zdrojích informací nevěnoval patřičnou pozornost. Např. popis použitého OZ naznačuje, že autor datasheet obvodu vůbec nečetl. Nejedná se v rozporu s tvrzením v práci o OZ s JFET rovněž parametry obvodu v tabulce jsou chybné. Teoretický úvod by mohl být vyváženější, některé prvky jsou popsány podrobněji (tranzistory MOSFET), jiné zcela povrchně a navíc chybně (použitá dioda například). Bylo by vhodnější, kdyby bylo v teoretickém úvodu více popisu vlastností a parametrů prvků, které se přímo vztahují k řešené problematice a které jsou řešenými obvody využívány. Dále lze mít pochybnosti o správné funkci obvodu realizujícího funkci x^1/2. V původním prameni, ze kterého je zapojení převzato byla autorem přehlédnuta informace, že poměr velikostí tranzistorů Q3:Q1 (M5:M6) má být 1:4. Taktéž by stálo za úvahu, zda raději nepoužít integrované skupiny tranzistorů řady ALD11xxx, vzhledem k tomu, že původní návrhy počítají s realizací všech komponent na jednom čipu pro zajištění dobrého matchingu tranzistorů. Tento předpoklad mohl být v textu alespoň zmíněn. Autor se nijak nezabývá možnými teplotními drifty ani tolerancemi polovodičových součástek a jejich vlivem na funkci obvodů.
eVSKP id 118441