DUDA, R. Analýza ultratenkých vrstev metodami SIMS a TOF-LEIS [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2008.

Posudek vedoucího

Bábor, Petr

Diplomová práce se zabývala novým doposud nepublikovaným přístupem k analýze tenkých vrstev pomocí střídavého hlobkového profilování metodou ToF-LEIS a SIMS. Diplomant dostatečně zvládnul teoretické základy těchto metod. Podařilo se mu změřit několik hloubkových profilů a na nejzdařilejším z nich demonstroval nové možnosti analýzy, které přináší střídavé hloubkové profilování metodami ToF-LEIS a SIMS. Vytvořením programu LEISInt přispěl k efektivnímu vyhodnocování velkého množství změřených energiových spekter. Aby bylo možné lépe porozumět výsledkům získaných metodou ToF-LEIS, provedl řadu simulací energiových spekter různými programy. Vytvořil program TRIMImp umožňující získat hodnotné informace o odražených iontech. Vytvoření zmíněných programů muselo být věnováno značné množství času. Pomocí simulací změřených spekter ToF-LEIS byl navržen postup měření tloušťky analyzovaných vrstev. V práci provedl srovnání hloubkových profilů ToF-LEIS a SIMS. Tato práce rozhodně prokázala diplomantovu schopnost řešit danou problematiku a srozumitelně prezentovat dosažené výsledky. Závěrem bych chtěl především ocenit intenzitu tvůrčí práce diplomanta. Souhrnem klasifikuji tuto práci stupněm A.

Posudek oponenta

Lörinčík, Jan

Předložená práce popisuje originální metodu analýzy velmi tenkých vrstev, která spočívá v kombinaci metod TOF-LEIS a SIMS. Práce je přehledně rozdělena do 6 kapitol. V prvních dvou kapitolách jsou dobře a stručný způsobem popsány metody TOF –LEIS a SIMS. Nicméně mi v 1. kapitole chybí odstavec nebo alespoň zmínka o velmi důležitých procesech neutralizace He+ iontů při rozptylu a re-ionizace He projektilů odražených z větších hloubek. Na straně 18 v odstavci nahoře diplomant tvrdí, že z hodnot proudu vzorkem v závislosti na místě dopadu iontu lze získat prvkovou mapu povrchu. Tady je třeba si uvědomit, že lokální vodivost je ovlivněna nejen typem prvku, ale i strukturou, morfologií a čistotou (adsorbáty) povrchu a dále že měřený absorbovaný proud je ovlivněn i emisními jevy, které také silně závisí na adsorbátech. Přesná interpretace kontrastu obrazu v režimu absorbovaného primárního proudu pak obecně nemusí být jednoznačná nebo jednoduchá. V kapitolách 3 a 4 uplatnil diplomant svůj programátorský talent a vytvořil dva programy profesionální úrovně, které jsou důležitou součástí nové kombinované metody TOF – LEIS –SIMS. V kapitole 5 jsou popsány experimentální výsledky – měření hloubkového profilu vzorku Al(6 nm)/Co(10 nm)/Si novou metodou TOF-LEIS-SIMS popsanou v předchozích kapitolách. Výsledky, tj. obrázky 5.3 až 5.5 jsou velmi originální a diplomant si rozumným způsobem poradil i s jejich obtížnou interpretací. Diplomant si povšiml i zdánlivě paradoxního jevu, kdy signál pocházející od Co nezmizel ani poté, co se odprášila vrstva zoxidovaného křemíku a vyslovil doměnku, že se jedná o důsledek zdrsňování povrchu s postupujícím odprašováním. Je škoda, že se nepokusil nějakým způsobem tuto drsnost (a zároveň rovnost dna kráteru) změřit a svoji doměnku ověřit, protože se může jednat o důležitou věc z hlediska dosažitelného hloubkového rozlišení popisované metody TOF-LEIS-SIMS. Také není jasné, zda profilování nebylo ukončeno příliš brzy a zda by signál od Co nakonec neklesl k nule poté, co se dno odprašovaného kráteru dostatečně vzdálí od SiO2/Si rozhraní. V kapitole 6. diplomant porovnává simulace TOF-LEIS spekter vygenerovaných programy TRIM/TRIMInp, TRBS a LMD. Jedná se o obtížný problém a rozumné shody mapř. programů TRIM/TRIMInp a TRBS se podařilo dosáhnout až po použití fitovacího faktoru, jehož fyzikální význam není jasný. V závěru diplomant stručně shrnul výsledky své práce a naznačil že lépe interpretovatelné výsledky by mohlo přinést použití definovanějších tenkovrstvých vzorků. S tím mohu jen souhlasit a doporučit vzorky s vnořenými delta-vrstvami vhodného prvku v křemíku připravené metodou MBE. V práci jsem našel zanedbatelné minimum formálních nedostatků (par. 1.6.2 poslední věta 2. odstavce: zřejmě se jedná o odkaz na obrázek 1.7 a nikoliv 5.1.; kap. 3 druhá řádka má být Ion místo Iont)

eVSKP id 13301