CHVÍLA, L. Vlastnosti fraktálních kapacitorů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2012.
Diplomant Ladislav Chvíla analyzoval v předložené práci elektrické vlastnosti fraktálního kapacitoru (FK). Po stránce teoretické využil fyzikální poznatky elektrostatiky a základní matematické vztahy teorie fraktálu. Po stránce programátorské zvládl poměrně slušně práci s programem Comsol Multiphysics a některými jeho nástavbami. Použil úspěšně i program SolidWorks pro konstruce složitějších kapacitorů. Podle zadání práce provedl porovnání FK a konvenčního interdigitálního kapacitoru. V toto bodě bych očekával srovnávání více typů FK (diplomant volil pouze typ Hilbertova fraktálu), aby bylo možné činit obecnější závěry. Za originální považuji návrh fraktálu na bázi hladké křivky sinus. Je škoda, že tento typ FK naní dále srovnávám s konvenčním kapacitorem. Tento typ FK je vhodný pro případné technologické kroky, neboť zabraňuje hromadění elektrického náboje na zlomech ostaních známých FK, a tak eliminuje nebezpečí průrazu v důsledku vzniku vysokých polí. Hodnotím pozitivně diplomantovu snahu o řešení otázek mimo rámec zadání, jako je simulace vlivu teploty na kapacitor, dále vlivu nehomogenity tloušťky dielektrika (důležité z hledika případné technologie) a pokus analyzovat impedanci kapacitoru. Po formální stránce konstatuji, že v práci je velmi málo gramatických chyb, spíše se vyskyjí drobné neobratnosti při vyjadřování. Navrhuji známu A[92] Otázky k obhajobě: Které vztahy elektrostatiky užívá Comsol k výpočtu kapacity a jakým způsobem můžete jejich volbu ovlivnit? Fraktálem v geometrii rozumíme křivku získanou nekonečným počtem iterací. Kolik iterací bylo použito při simulaci v Comsolu. Nebylo by vhodnější označení "kvazifraktální" nebo "pseudofraktální" kapacitor?
V předložené práci se diplomant Ladislav Chvíla zabývá modelováním a návrhem fraktálních kapacitorů. Jednotlivé kapitoly jsou za sebou logicky řazeny od popisu fraktálu, základů elektrostatiky, fraktálních kapacitorů, počítačových modelů až po vlastní analýzu simulací těchto modelů. Cílem práce bylo porovnat fraktální a konvenční kapacitory, zhodnotit vlastnosti fraktálních kapacitorů a modelovat je pomocí konečno-prvkového řešiče (COMSOL). Tyto cíle diplomant splnil. Originalita práce spočívá v porovnání fraktálního a interdigitálního kapacitoru a dále i ve vytvoření fraktálu na základě goniometrické funkce sinus. Dále bych vyzdvihl analýzu vlivu teplotní roztažnosti na kapacitu a i zajímavou analýzu vlivu nerovnosti elektrod na kapacitu. Práce, bohužel, obsahuje také určité nedostatky, mezi něž lze zařadit špatně zapsaný vztah pro afinní transformaci na straně 12, špatně formulovanou definici elektrostatického pole na straně 18, nešťastně formulovanou definici intenzity elektrického pole na straně 20, chybu ve vztahu pro výpočet elektrického napětí na straně 22, ne dobře provedenou analýzu vlivu rozptylového pole u konvenčního deskového kondenzátoru o objemu dielektrika 1m3 (strana 28), neuvažování substrátu při výpočtech rozptylového elektrického pole u fraktálního kapacitoru a interdigitálního kapacitoru (strana 37). Při porovnání kapacit interdigitálního a fraktálního kondenzátoru na základě simulací práce nenabízí to, co by měla, širší analýzu konstrukčního řešení. V práci je ukázáno porovnání pouze jednoho konstrukčního řešení (Hilbertova křivka) s konvenčním kapacitorem, na základě čehož jsou formulovány závěry, což je dle mého názoru největším nedostatkem této práce. Z hlediska formálního práce obsahuje minimum gramatických chyb, avšak u některých grafických závislostí chybí popis os (např. obr. 9.6 a obr. 9.7), nešťastně se používá výraz “element“ místo termínu “prvek“, reference jsou náhodně seřazeny a v textu se vyskytuje několikrát zápis hodnoty fyzikální veličiny v E-formátu (x,xxE±xxx), což by se v diplomové práci objevovat rozhodně nemělo. I přes všechny předcházející připomínky navrhuji známku A/90 a doporučuji tuto práci k obhajobě.
eVSKP id 54623