KLEMENT, M. Škálovateľný teplotní model pouzdra tranzistoru [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2023.
Diplomová práce Bc. Matěje Klementa je věnována tvorbě škálovatelného teplotního modelu pouzdra tranzistoru. V úvodních kapitolách autor práce představuje samostatně nastudované poznatky z uvedené literatury (JEDEC standardy, spektrální analýza termálních křivek), na základě kterých pracoval na svém vlastním výzkumu pro diplomovou práci. Po konzultacích bylo pro tvorbu diplomové práce zvoleno pouzdro D2PAK-7L-HV, jakožto pouzdro vhodné ke zkoumání termálních jevů výkonových polovodičových prvků jako jsou Si a SiC MOS tranzistory. Jádrem diplomové práce jsou kapitoly 4 až 6, ve kterých jsou nejprve pomocí vytvořeného 3D modelu demonstrovány faktory ovlivňující teplotní vlastnosti tranzistoru, které jsou následně matematickými metodami zpracovány do formy vhodné pro implementaci do SPICE obvodového simulátoru. Nakonec je předloženo srovnání chování výsledného modelu s daty sesbíranými FEA simulací. Vyzdvihnut lze jazykovou úroveň práce v anglickém jazyce, který byl zvolen vzhledem ke spolupráci diplomanta s mezinárodním týmem společnosti onsemi. Pozitivně hodnotím soustavné úsilí Bc. Mateje Klementa na práci v průběhu celého semestru, postup pravidelně konzultoval a zároveň byl schopen zadanou problematiku řesit kreativně a samostatně. Hlavním přínosem práce je univerzálnost metody, kterou autor práce sestavil a předvedl, jelikož ji lze aplikovat na většinu dostupných výkonových polovodičových pouzder při znalosti potřebných informací. Z předložených výsledků vyplývá, že takovýto model v přesnosti překonává v současné praxi užívané řešení. Vypracováním diplomové práce autor prokázal komplexní znalosti v oblasti 3D modelování a simulací, teorie elektronických obvodů, polovodičových součástek, matematiky, SPICE simulací a termodynamiky. Předloženou diplomovou práci doporučuji k obhajobě a hodnotím 97 body (známka A).
Student se ve své diplomové práci věnuje tvorbě teplotního SPICE modelu pouzdra tranzistoru, který je možné škálovat dle zvolených parametrů. Předložená práce je kromě úvodu a závěru rozdělená do šesti kapitol, které se věnují termální analýze, měření teplotní impedance, určení teplotní časové odezvy, simulaci teplotního modelu, návrhu škálovatelné teplotní sítě a porovnání simulace vytvořeného modelu a analýzy z profesionálního programu. Jednotlivé kapitoly na sebe plynule navazují, logicky rozvíjejí příslušnou problematiku a návrh modelu. Student při návrhu využil množství výpočtů, které jsou systematicky odvozeny. Zároveň je navrhnutý model podložen dostatkem simulací, které dokazují jeho správnou funkci. Angličtina, kterou je práce psána, je na dobré úrovni, až na občasný výskyt zdvojených sloves za sebou, chybějícího předmětu nebo členu. Nejzávažnější chybou v angličtině je nesprávné použití výrazu „it’s“, místo kterého měl být použit výraz „its“. V práci se vyskytlo několik formálních nedostatků. Chybí popis obrázků v textu (např. obrázek 3.3, 3.8, atd). Některé obrázky se nachází na konci kapitol (např. obrázky 2.6, 4.16, atd) anebo v jiné kapitole, než ve které k nim bylo odkázáno (např. obrázky 2.3, 4.6, atd). Rovnice častokrát nejsou součástí věty (např. rovnice 2.3, 3.5, atd). V několika případech chyběla mezera mezi číslem a jednotkou (např. na stránkách 30 a 31 v popise obrázků). V názvech kapitol a podkapitol se nachází velká i malá písmena bez pevně daného řádu. Po odborné stránce je práce výborně zpracována. Student se v problematice evidentně dobře orientuje a zadání splnil v plném rozsahu. I přes uvedené nedostatky se jedná o kvalitní práci, kterou hodnotím stupněm A – 92 bodů a doporučuji ji k obhajobě.
eVSKP id 152469