VYČÍTAL, J. Realizace jednoduchých aktivních prvků s komerčně dostupnými BJT/MOS poli [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2016.
Student měl v rámci své práce navrhnout několik typů jednoduchých aplikačních ukázek komerčně dostupných tranzistorových polí (CMOS a BJT), ověřit jejich činnost simulacemi s dostupnými modely v PSpice a provést experimentální ověření. Cílem bylo ověření vhodnosti/nevhodnosti těchto stavebních prvků i bloků pro další vývoj a výzkum v této oblasti na pracovišti. Během semestru pracoval samostatně, což se ukázalo jako zcela nevhodný přístup, protože se setkal s problémy (nepřesné modely pro simulace a katalogové listy nerespektující reálné chování), které nebyl schopen včas řešit a na konzultace přišel s velkou prodlevou. Výsledkem bylo doporučení komise práci doplnit a předložit znovu na nejbližším možném termínu. Stav písemné zprávy stále odpovídá velmi chvatnému přístupu. Některé návrhy, volby hodnot a výsledky jsou uvedeny bez adekvátních komentářů, diskuzí a zhodnocení. Text místy postrádá logické uspořádání (proč je např. fotografie prototypu před podkapitolami diskutujícím návrh a simulaci?). Někdy není jasné, co bylo měřeno a co jen simulováno. Získané parametry by bylo vhodné uvádět v tabulkách. Díky nejednotnosti modelů a reálných prvků nelze některé výsledky přímo porovnat graficky (jiné Kp v simulaci a experimentu znamená např. jiné gm diferenčního páru), ale v práci je pár výjimek, kde by to šlo (např. obr. 7.13 a 7.10 a 7.14 a 7.11). Zarážející je v jednom případě přesnost biasovacícho proudu na jednotky uA či ponechání rezistoru s vypočtenou hodnotou na 4 místa ve schématu pro měření (kde byl trimr a tím se dostavil proud). Z některých výsledků není jasné, zda byly přesimulovány pro funkční reálné podmínky známé z experimentů (u BJT realizací nepracovaly reálné struktury korektně při vyšších biasovacích proudech, ale simulované struktury ano). Některé parametry by bylo vhodné doložit numerickým výpočtem (zisk, gm, … lze z parametrů struktury přibližně spočítat pro „ideální případ“). Některé důležité parametry sledovaných struktur nejsou z výsledků vyhodnoceny a uvedeny (gm = f(Ibias), zisk = f(Ibias), apod.). Zdá se, že stabilita OZ nebyla v simulaci s BJT řešena. Význam uvedení zapojení OTA ve funkci komparátoru (bez jakéhokoliv popisu a vazby na zrovna probírané téma) postrádá logiku. Student nediskutuje, za jakých podmínek může použít AD830 a LT1364/OPA2650 pro měřící účely ve vztahu k GBW studovaných struktur, neuvádí hodnoty rezistorů použité ve ZV neinvertujícího zesilovače s OZ a další zcela zásadní informace nutné pro reprodukovatelnost výsledků. Komentáře výsledků směrem ke konci práce jsou nedůsledné a místy se jedná o výčet obrázků a grafů, i když oproti původní verzi se jedná o mírný pokrok k lepšímu. Student opět zcela rezignoval na formální úpravu textu a precizní zpracování rukopisu a sledování doporučené šablony (indexy, nevhodně formulované popisky obrázků, velmi časté opakování slov, hrubé chyby v gramatice, nevhodné vlastní pojmy a pojmenování, netechnické používání desetinných čísel, atd.). Forma zprávy spíše připomíná nevhodně koncipovaný protokol do laboratorního cvičení. Opět jsem neobdržel rukopis ke kontrole (a tudíž jsem závěrečnou zprávu nemohl jakkoliv ovlivnit) a podněty z předchozích posudků byly vzaty v úvahu jen v menší míře. Student byl celkem snaživý a na dokončovacích pracích trávil řadu týdnů. Bohužel dílčí aktivity postupovaly velmi pozvolna, což by se možná částečně dalo vysvětlit nedostatkem praxe. V současné podobě práce je dokončeno zhruba 70-80% náplně (prakticky chybí testy navržených struktur ve zcela jednoduchých aplikacích – komparátor s OTA měl být jednou z nich, ale v důsledku problémů s časem a simulacemi se to nestihlo). S velkými výhradami lze říci, že student i přes přidané problémy s korektností podkladů (která byla zásadní) nějakou práci odvedl (i když její kvalita a interpretace je diskutabilní) a zadání tak z mého pohledu i přes uvedené nesrovnalosti a nejasnosti jakýmsi způsobem téměř splnil. Nepřesvědčil mne však o schopnosti samostatné inženýrské práce na běžných problémech (základní elektronika a měření, práce s počítačem – simulace a tvorba textu a obrázkové dokumentace).
V předložené práci měl student ověřit běžné struktury dnes již běžných obvodů analogové elekroniky za pomoci tzv. sdružených tranzistorů či tranzistorových polí. Práci od pohledu nebylo věnováno tolik pozornosti, kolik by si takto (pro budoucí profesní život) významná práce zasloužila. Text nemá příliš logickou strukturu. Byly provedeny simulace obvodů a následně měření jejich fyzické realizace. Zpracování výsledků je však velmi nepřehledné a vzájemné výsledky jsou obtížně porovnatelné. Chybí nějaký detailnější popis měření a podmínek při měření. V textu je zmíněn pomocný zesilovač pro potřeby měření, nejsou však diskutovány jeho parametry a to, jak ovlivní měření a zda byly výsledky s jeho vlivem nějak korigovány. V simulacích vycházela studentovi, na rozdíl od realizovaných vzorků, u některých obvodů značná šířka pásma. Není však zmíněn vliv fyzické realizace a parazitních prvků na výsledky měření. Není zde většinou ani smysluplné zdůvodnění volby pracovních bodů. Zdá se, že práce byla psaná narychlo, s mizernou úpravou po formální stránce. Dosažené výsledky by byly na základě popisu v této práci jen velmi obtížně reprodukovatelné. Práce by mohla být dobrou možností pro detailnější pochopení funkce základních funkčních bloků analogové elektroniky, pokud by byla dotažena. V tomto stavu ovšem, podle mého názoru, neodpovídá svému poslání a účelu a tudíž ji nedoporučuji k obhajobě.
eVSKP id 96142