ŠTÁLNIK, J. Výroba SiC optických metapovrchů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2024.

Posudek vedoucího

Viewegh, Petr

Student Jozef Štálnik prokázal během svého bakalářského projektu velkou míru systematické vědecké práce a samostatnosti, což indikuje množství velmi náročných nanofabrikačních metod, které se zvládnul naučit za poslední rok. Všechny definované cíle splnil a postup a rozsah použitých metod byl zcela adekvátní. Využitelnost dosažených výsledků v praxi je velmi vysoký a věřím, že na tento bakalářský projekt bude navázáno i v rámci diplomové práce, neboť student díky svým výsledkům otevřel na ÚFI zcela nový vědecký směr, tj. využití SiC optických metapovrchů pro kvantové optické technologie. Mezi slabší stránky studenta patří schopnost interpretovat dosažené výsledky a vyvozovat z nich závěry, tento nedostatek lze ale přisoudit prozatímní badatelské nezkušenosti. Samotná bakalářská práce obsahuje menší množství formálních, grafických a stylistických nedostatků. Každopádně jako vedoucí práce, který sledovat celý rok práci Jozefa a jeho pokroky, doporučuji bakalářskou práci k obhajobě s výslednou známkou A/B.

Posudek oponenta

Idesová, Beáta

Student Jozef Štálnik se ve své práci zabývá optimalizací výroby struktur z karbidu křemíku (SiC), který je zajímavým materiálem pro polovodičový průmysl. Jeho práce je motivována potřebou efektivně strukturovat tento materiál pro využití k výrobě metapovrchů jako novodobých optických komponent. V první kapitole student rozlišuje mezi kovovými a dielektrickými metapovrchy. Popisuje základní principy, které ovlivňují fázi dopadajícího světla u dielektrických metapovrchů, a to jak kvalitativně, tak kvantitativně. První kapitola je zakončena krátkou rešerší zabývající se jednofotonovými emitory. V druhé kapitole je blíže popsán ústřední materiál této práce, karbid křemíku, jeho optické vlastnosti a dosažené výsledky při použití tohoto materiálu v nanofotonice. Ve třetí kapitole student shrnuje principy metod, jež byly využity pro výrobu a charakterizaci výsledných SiC metapovrchů. Čtvrtá kapitola je následně věnována popisu výrobního postupu těchto metapovrchů. Student v této části velmi podrobně shrnuje potřebné výrobní parametry a optimalizaci leptacího procesu SiC pomocí metody reaktivního iontového leptání. Čtvrtá kapitola je zakončena charakterizací SiC metapovrchů pomocí digitální holografické mikroskopie. V závěru student shrnuje dosažené výsledky. Celému textu by prospěla intenzivnější práce na jazykovém zpracování, např. chybějící nebo nadbytečná slovesa, drobné překlepy, práce s trpným rodem, zavádějící fráze jako „Nevýhodou tejto metódy je jej dlžka.“ V některých částech textu jsou nevhodně vysázené citace (za ukončením věty tečkou), vyskytují se také silná tvrzení, která citacemi nejsou podpořena, typicky u výčtu aplikací, např. „Vzhľadom na svoje fyzikálne a elektronické vlastnosti je karbid kremíka vhodný pre krátkovlnné optoelektronické zariadenia, vysokoteplotné aplikácie,…., v porovnaní so zariadeniami na báze kremíka alebo gálium arzenidu“. Plynulost a logická uspořádanost textu je velmi často narušena tím, že autor v textu přeskakuje od jedné myšlenky ke druhé a poté se k nim z ničeho nic vrací a řeší je do větší hloubky. Například v podkapitole 1.2 jsou řešeny mechanismy na manipulaci fáze dielektrických metapovrchů velmi názorně, ale následuje podkapitola 1.3 „Ovládanie fáze v dielektrických metapovrchoch“ kde se ovládání fáze autor věnuje znovu, ale jinak. Obecně v textu chybí motivace toho, proč autor některé věci vysvětluje nebo proč jsou některé informace důležité (například – proč potřebujeme manipulovat fázi v rozsahu od 0 do 2pi). I přes výše uvedené výhrady, jde o nadprůměrnou práci. Autor velmi dobře pracuje s použitou literaturou a vyskytuje se velké množství kvalitních citací napříč celým textem. Velmi kladně hodnotím zvládnutí technologie výroby metapovrchů pomocí elektronové litografie a následného leptání. Jedná se o časově náročné techniky a autor jasně prokázal, že je schopen pracovat systematicky při hledání optimálních výrobních parametrů. V rámci bakalářské práce vyrobil hned několik funkčních SiC metapovrchů, které byl schopen samostatně charakterizovat pomocí rastrovacího elektronového mikroskopu a vypočítat rychlost, anizotropii a jednotnost leptání v závislosti na leptacích parametrech. Optimalizované výrobní parametry budou jistě přínosem v budoucích pracích. Práce Jozefa Štálnika splňuje požadavky bakalářské práce a doporučuji ji k obhajobě.

eVSKP id 154992