VRANA, M. Měření charakteristik kondenzátoru na čipu na bázi vícevrstvých dielektrik o tloušťce v rozmezí několika nanometrů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2025.
Student Martin Vrána postupoval dle zadání, přičemž proměřil nejprve starší vzorky multivrstev HfO2, které byly převážně již charakterizovány a jedno materiálové vrstvy a na kterých mohl odladit měřící metodiku, kterou naprogramoval pomocí prostředí LabVIew. Poté změřil novější multivrstvy s TiO2. Obdržené výsledky vyhodnotil, čímž zadání splnil. Diplomová práce je sepsána anglicky vzhledem k současným požadavkům průmyslu na absolventy a také, protože čerpá převážně z anglicky psané literatury. Jazyková úroveň textu je velmi dobrá. Formální stránka splňuje standardy pro technické texty, svým rozsahem odpovídá požadavkům na diplomovou práci. Rozsah použité literatury je nadstandardní. Metodika měření a vyhodnocení byla zvolena správně pro dosažení co nejpřesnějších výsledků a také v závislosti na dostupném přístrojovém vybavení. Student si sám vyžádal některé přístroje s lepšími vlastnostmi, jako je např. přístroje s triaxiálním připojením kabelů, aby vůbec mohl změřit požadované parametry. Výsledky, jimiž jsou vlastně vyhodnocená měření, jsou ověřitelné a odpovídají naměřeným hodnotám. Jediné co se mi nepodařilo včas podchytit je, aby student udělal i nějaká statistická vyhodnocení, ale to nebylo v zadání, bylo by to nad rámec práce. Mým hlavním předpokladem, bylo vyhodnotit multivrstvy s TiO2, ale dle závěrů studenta byly příliš vodivé, aby mohly být vyhodnoceny. Škoda jen, že student neprovedl srovnání kvality těchto multivrstev s vrstvami s HfO2 více do hloubky. Výsledky nicméně potvrzují, že vytváření multivrstev je cestou jak dosáhnout vyšší kvality dielektrika u vrstev materiálů s vyšší permitivitou, ale z části polovodivými vlastnostmi, jež mají díky metodě přípravy a tak dosáhnout velmi dobré hustoty kapacity. Student byl během semestru aktivní, docházel na konzultace a celou práci vytvořil samostatně. Programové prostředí LabView, o kterém do té doby nic nevěděl, zvládl a vytvořil požadované programy zcela sám. Jako vedoucí jsem s prací spokojen a hodnotím dle výše uvedených skutečností stupněm A/92.
- Splnění požadavků zadání Student úspěšně splnil zadání diplomové práce. Zvládl programování v prostředí LabVIEW, přičemž vytvořené skripty detailně popsal a efektivně využil pro C-V a I-V měření. Měření byla provedena na MIS strukturách s izolační vrstvou tvořenou oxidem hlinitým nebo jeho kombinací s oxidem hafničitým. Výsledky jsou podrobně diskutovány. Popsané byly přechodové jevy i mechanismy přenosu náboje v objemovém materiálu, které byly definovány a analyzovány. - Prezentační úroveň technické zprávy a její rozsah Práce splňuje požadovaný rozsah. Výhradu mám k nesystematickému číslování citací – student zřejmě nevyužil hypertextové odkazy a křížové reference s možností automatické aktualizace číslování, což by zvýšilo přehlednost a profesionalitu dokumentu. - Formální úprava a jazyková úroveň Práce je napsána odbornou angličtinou na dobré úrovni. Doporučuji sjednotit formát popisů grafů. V grafech byla použita desetinná čárka, což neodpovídá konvencím odborné angličtiny, kde se používá desetinná tečka. - Práce s literaturou Student uvedl všechny potřebné citace. Doporučuji však zlepšit jejich formátování a číslování, jak bylo zmíněno výše. - Odborná úroveň, využitelnost výsledků a realizační výstup Práce má dobrou odbornou úroveň. Výsledky jsou využitelné pro charakterizaci dielektrických vrstev v polovodičových strukturách. Skripty v LabVIEW lze dále rozvíjet a použít i v jiných měřicích aplikacích. - Otázky k obhajobě Měly kovové kontakty MIS struktury stejnou plochu? Z dostupných informací vyplývá, že spodní elektroda (hliník) měla větší plochu než horní zlatý kontakt vytvořený litografií a technikou lift-off. Vysvětlete, jaký vliv má rozdílná velikost horního a spodního kontaktu na měření kapacity. Diskuze závislosti kapacity na frekvenci (obrázek 4.3 vs. 4.1) V obrázku 4.3 uvádíte, že kapacita je stabilní, zatímco v grafu 4.1 tvrdíte, že se kapacita s frekvencí mění. Můžete prosím vysvětlit tento rozpor?
eVSKP id 168696