PETLACHOVÁ, N. Elektrické vlastnosti vícevrstvých struktur s aktivní vrstvou bezolovnatých perovskitů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická. 2025.
Studentka Natálie Petlachová se v rámci své bakalářské práce přihlásila k tématu „Elektrické vlastnosti vícevrstvých struktur s aktivní vrstvou bezolovnatých perovskitů“. Jedná se o jedno z perspektivních témat současné elektroniky, které se věnuje pasivním elektronickým součástkám, konkrétně memristorům pro budoucí neuromorfní elektroniku. Jelikož se jedná o nově zaváděné téma na FCH VUT v Brně, musela se studentka nejprve seznámit s velkým počtem publikovaných výsledků, což zvládla na výbornou. Z tohoto nepřeberného množství dosavadních poznatků v dané oblasti musela následně vyselektovat pouze takové zdroje, které jsou ověřené, věrohodné a zároveň proveditelné v rámci materiálového a přístrojového vybavení na Fakultě chemické. Zadaného úkolu se zhostila velmi zodpovědně a s velkým odhodláním přesně tak, jak si přeje každý vedoucí jakékoliv závěrečné práce. Výsledkem tohoto úsilí byly vzorky zřetelně vykazující memristorové chování, a i když se nakonec jednalo pouze o struktury s aktivní vrstvou olovnatého perovskitu, tyto první poznatky mohou poskytnout dobrý základ pro možné navazující rozsáhlejší studie těchto zařízení. Závěrečnou práci studentky Natálie Petlachové hodnotím velmi pozitivně a klasifikuji ji známkou „A“.
Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
---|---|---|---|
Kvalita zpracování výsledků | A | ||
Interpretace výsledků, jejich diskuse | A | ||
Závěry práce a jejich formulace | A | ||
Využívání konzultací při řešení práce | A | ||
Celkový přístup k řešení úkolů | A | ||
Splnění požadavků zadání | A | ||
Studium literatury a její zpracování | A | ||
Využití poznatků z literatury | A |
Předkládaná diplomová práce působí velmi pečlivým a kompaktním dojmem, a to jak v rešeršní části, tak v části praktické. V teoretické části je popsán současný stav vývoje perovskitových materiálů jak olovnatých, tak bezolovnatých se zaměřením na jejich fotoelektrické vlastnosti. Také je popsáno využití perovskitových materiálů v základních fotoelektrických zařízeních a také v paměťových rezistorech, takzvaných memristorech. Přípravou vícevrstvých struktur s perovskitovou vrstvou právě těchto memristorů a měřením elektrických vlastností se pak zabývá praktická část práce. Vzhledem k tomu, že příprava tenkovrstvých zařízení není triviální záležitostí je zřejmé, že studentka musela úspěšně zvládnout množství laboratorních technik. Písemná forma celé práce není špatná, ale studentka se nevyvarovala některým zavádějícím termínům jako jsou například viditelné signály (str. 20) či nejmodernější účinnost (str.17) nebo přímo omylům viz. „Titan je obecně dobrým izolantem s vysokou hodnotou odporu…“ (str.26). V praktické části pak chybí poněkud podrobnější popis geometrie uspořádání měřených vzorků či měřicích procedur. Nedozvíme se například jakou rychlostí bylo měněno napětí vkládané na vzorek. Celkově je ale i praktická část zpracována velmi pěkně včetně grafické reprezentace výsledků a závěrů. Bohužel však chybí zadáním požadované měření dielektrických vlastností a interpretace výsledků z pohledu aplikací v optoelektronice. Žádná dielektrická ani fotoelektrická měření provedena nebyla. Proč tomu tak bylo je otázka asi spíše na vedoucího práce. Závěrem lze konstatovat, že bylo provedeno množství užitečných experimentů a práce splňuje všechny podmínky kladené na bakalářskou práci. Vyzdvihl bych také nadprůměrné využití studijní literatury, prakticky pouze zahraničních recenzovaných článků
Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
---|---|---|---|
Splnění požadavků zadání | C | ||
Logické členění práce | A | ||
Kvalita zpracování výsledků | A | ||
Interpretace výsledků, jejich diskuse | B | ||
Využití literatury a její citace | A | ||
Úroveň jazykového zpracování | B | ||
Formální úroveň práce – celkový dojem | A | ||
Závěry práce a jejich formulace | B |
eVSKP id 161569