TROJAN, V. Metody měkkého spínání a optimalizace výstupní části budiče MOSFET tranzistorů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2023.
S ohledem na informace konzultanta uvedené práce Ing. Karla Ptáčka, Ph.D. z firmy onsemi lze konstatovat následující: V první části práce měl student za úkol prostudovat strukturu a spínací vlastnosti výkonových MOSFET tranzistorů a ve spolupráci s firmou Onsemi se seznámit s principem optimalizovaných struktur výstupní části budiče MOSFET tranzistorů. V této části práce student prokázal, že bez sebemenších problémů dokáže pracovat s dostupnou literaturou psanou v anglickém jazyce. V praktické části diplomové práce se autor zabývá návrhem a porovnáním jednotlivých způsobů optimalizace zapojení koncového stupně budiče MOSFET transistorů za účelem dosažení měkkého spínání. Parametry jednotlivých návrhů jsou ověřeny v simulátoru Spectre a připraveny pro realizaci v 250 nm procesu firmy Onsemi. V závěrné části práce autor prezentuje výsledky měření navržených struktur zapojených v pouzdru SOIC-16 a srovnává mezi sebou naměřené a simulační výsledky. Rozsah technické zprávy (úvod až závěr) je 74 stran plus 28 stran příloh. Rozsah technické zprávy tudíž hodnotím jako adekvátní, rovněž tak její prezentační úroveň. Po formální stránce je práce v pořádku, k jazykové úrovni nemám výhrady. Problematikou optimalizace výstupní části budiče MOSFET tranzistorů se student během semestru nezabýval pouze ve své diplomové práci. Během této doby byl rovněž zaměstnán jako stážista ve firmě Onsemi. Průběžné výsledky své práce tak mohl využít a aktivně se podílet na optimalizaci výstupního budiče v právě vyvíjeném reálném integrovaném obvodu. Velice kladně hodnotím studentovu schopnost samostatné práce. Svou diplomovou práci a rovněž tak úkoly zadané v rámci své stáže byl schopen po většínu času vykonávat pomocí vzdáleného přístupu s občasnými osobními konzultacemi v Rožnově pod Radhoštěm. Jelikož výsledky diplomové práce jsou již nyní a v budoucnu nadále budou s výhodou aplikovány v reálných integrovaných obvodech, hodnotím její odbornou úroveň a přínos velice kladně. Student prokázal své odborné a technické dovednosti, souhrnně hodnotím práci 100 body.
Student v rámci své diplomové práce řešil návrh a testování metod optimalizace měkkého spínání koncového stupně budiče MOSFET od společnosti Onsemi. V teoretické části textu student přehledně popisuje strukturu tranzistoru MOS a zdroje spínacích ztrát. Praktická část práce se pak dělí na dvě části - návrh obvododvých struktur a ověření jejich parametrů simulacemi a reálné měření na vytvořených prototypech. V závěrečné části jsou dosažené parametry porovnány se simulacemi i mezi sebou. Z formálního hlediska je práce dobře zpracovaná a čtivá bez zbytečných gramatických i stylistických chyb. Nicméně i v této práci se vyskytují drobné překlepy, obrázky špatné kvality (5.2-5.4 nečitelné) či překombinované výroky (např. "implementace na testovací substrát" je použito v kontextu osazení prototypu IO na testovací DPS). Pochopitelnost by také zvýšilo použití popisnějších názvů signálů (např. U51 jako napájecí napětí digitální části struktury). Závěrečnou výhradu mám ke značení rozkmitu napětí na Ucc a GND, kdy dle mého názoru, protože se jedná o změnu by mělo být použito vyjádření špička-špička Ucc(šš) nebo pouze špičková výchylka Ucc(š). Osobně bych použil Ucc (delta Ucc). Díky výše jmenovanému konstatuji, že stutent splnil zadání a dopoučuji práci k obhajobě.
eVSKP id 152480