ŠELIGA, L. Vysokonapěťové součástky v moderních bipolárních technologiích [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2014.
Téma diplomové práce bylo iniciováno na základě požadavků společnosti ONSemiconductor v Rožnově pod Radhoštěm. Zde probíhalo také její samotné řešení. Zvolené téma a tím i zadání práce odpovídá současným požadavkům na optimalizaci moderních vysokonapěťových bipolárních struktur a proto i řešení prokázalo vysokou odbornost řešitele. Celá práce je vypracována v angličtině, což přispívá k její celkové náročnosti. Pan Bc. Ladislav Šeliga pracoval velmi aktivně a samostatně s podporou interního mentora společnosti ONSemi pana Ing. Jaroslava Pjenčáka. Jádro celé diplomové práce je založeno na modelování v simulačním software TCAD a reportování výsledků dalším vývojovým složkám ONSemiconductor, které poskytovaly zpětnou vazbu řešiteli. Po formální stránce je práce na velmi dobré úrovni a v souladu s požadavky kladenými na vypracování diplomové práce. V závěru bych rád vyzvedl celkový přínos práce pro výzkumný tým společnosti ONSemiconductor, jehož součástí je v současnosti i Bc. Šeliga. Z pohledu užitečnosti je práce nadprůměrná s vysokou přidanou hodnotou. Vypracovanou práci doporučuji k obhajobě.
Diplomová práce pana Ladislava Šeligy byla řešena pro potřeby společnosti ON Semiconductor. Práce je proto napsána v angličtině. Zadání práce je po odborné stránce náročné a vyžaduje poměrně dobrou orientaci v problematice struktur tranzistorů řízených elektrickým polem, v problematice modelování technologických procesů souvisejících s jejich výrobou a v mechanismech elektrických jevů souvisejících s jejich funkcí. Po krátkém úvodu jsou v kapitole “1 LATERAL DIFFUSED MOS“ nejprve shrnuty základní vlastnosti struktury LDMOS a jejích parazitních prvků a v souladu se zadáním práce je zde pojednáno o možnostech zvýšení její napěťové odolnosti. Následuje krátký rozbor vlivu horkých elektronů a migrace částic na bezpečnou pracovní oblast a dlouhodobou spolehlivost struktury LDMOS. Je přitom věnována pozornost tranzistoru s “P“ kanálem, kde se tyto vlivy projevují zvýšenou měrou. V krátkých kapitolách “3 ELECTROSTATIC DISCHARGE“ a “4 APLICATION OF HIGH VOLTAGE DEVICES“ jsou následně definovány základní modely pro testování odolnosti proti elektrostatickému náboji a použití vysokonapěťových součástek při ochraně proti elektrostatickému náboji. Těžiště práce je v kapitole “5 TCAD SIMULATION“. Kapitola začíná přehledem modelování elektrických parametrů struktury. Výsledky modelů byly porovnány s hodnotami naměřenými u reálných tranzistorů. Shoda byla velmi dobra. Modelované koncentrační profily byly porovnány s hodnotami získanými měřením metodou SIMS. I zde výsledky simulace prakticky kopírují reálné hodnoty. Pro optimalizaci rozměrů struktury byla modelována změna jednotlivých geometrických parametrů struktury. Shoda je opět velmi dobrá pouze s malým systematickým posunem, který se u jednotlivých parametrů liší. V kapitole “ 6 CALCULATION OF SAFE OPERATING AREA“ je modelovaná struktura zhodnocena z hlediska dlouhodobé stability. Jako kritérium byl zvolen posun prahového napětí. V závěru práce je provedeno zhodnocení výsledků modelování s ohledem na optimalizaci modelované struktury a je doporučena mírná úprava dvou geometrických parametrů původní struktury. Vlastni diplomová práce je psána přehledně a její grafická úroveň je velmi dobrá. Použitá literatura odpovídá rozsahu práce, odkazy na literaturu jsou pečlivě citovány a jsou využívány optimálním způsobem. Výhradu mám pouze k občasnému použití nevhodných slovosledů v anglických větách. V práci jsou i drobné chyby, které autorovi při editaci textu unikly: Str. 19: V obr. 2.4. chybí “t“ v nápisu “Hole Capture“. Str. 22: V textu před obr 3.3. je uvedeno, že strojový model obsahuje rezistor R = 1500 . Tento rezistor součástí běžně užívaného strojového modelu pro ESD neni. Na obr. 3.3. je však strojový model správně. Str. 44 – 45: Při určování bezpečné pracovní oblasti (SOA) se používá pro výpočet řada parametrů. Definice těchto parametrů by měla být přehlednější a měly by být uvedeny jejich rozměry. Uvedené nedostatky nesnižují celkový dobrý dojem z práce. Ve své diplomové práci pan Ladislav Šeliga prokázal, že je schopen samostatné tvůrčí práce technického charakteru a zpracovat diplomovou práci v souladu se zadáním, které bylo v plném rozsahu splněno. Diplomovou práci pana Ladislava Šeligy proto doporučuji k obhajobě.
eVSKP id 74262