SIKORA, M. Elektro-termální model a simulace integrovaného obvodu [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2020.
Na základě hodnocení konzultanta Ing, Tomáše Pečenky lze konstatovat, že: V práci je popsána problematika termálních jevů, tepelných modelů, elektro-termálních simulací a popsán základní princip fungování dostupných EDA nástrojů pro elektro-termální simulace. V praktické části je navržena metoda automatizovaného generování termální sítě na základě layoutu obvodu, která byla implementována v jazyce Skill a Perl. Metoda generování byla ověřena na obvodu NCP156. Nepodařilo se získat výsledky měření teploty na reálném obvodu, tak byly pro ověření použity výsledky z TCAD simulací. Zadání bylo splněno. Bylo by ale vhodné dále analyzovat příčinu rozdílů, mezi teplotní mapou z elektro-termální simulace a TCAD nástroje. Práce vhodně a jasně popisuje problematiku elektro-termálních simulací. V praktické části by bylo vhodné některé části podrobněji rozvést – práce by pak měla doporučený rozsah 50 normostran. V práci je vhodně použita/citována literatura, student se dokáže v literatuře orientovat a získávat potřebné informace. Elektro-termální simulace je při návrhu IC využívána stále častěji a také výrobci EDA nástrojů ji více podporují ve svých simulačních nástrojích. Metoda vytváření termální sítě navržená v této práci představuje dobrý začátek. Pro praktické použití by bylo potřeba metodu dále vylepšit – např. vyřešit reprezentaci/příspěvky velkých prvků (v práci použitá metoda předpokládá, že veškeré teplo je vyzařováno ve středu prvku. Konzultace během semestru byly bohužel omezeny z důvodu karanténních opatření. Přesto student pravidelně konzultoval dosažené výsledky. Práce se naplno rozjela až po rozvolnění karanténních omezení, což zřejmě ovlivnilo i výsledný rozsah práce. Navrhuji hodnocení C / 78b
Student se ve své práci zabývat návrhem nové metody elektro-termální simulace pro technologii ONC25 používanou ve firmě ON Semiconductor. Důvodem vývoje nové metody byla především časová náročnost současně používané metody vycházející z nástroje TCAD. Celkově je práce psána velmi stručně, čemuž odpovídá jen 40 stran textu. V praktické části student navrhl novou metodu s využitím jazyku SKILL a nástrojů od firmy Mentor Graphics. Nově navržená metoda je porovnána se současnou a výsledky vyhodnoceny na reálném čipu. Zadání tedy bylo splněno. V práci mi však chybí porovnání časové náročnosti současné a nově navržené metody. Je jen konstatováno, že simulace zabere zlomek času původní metody. Formulace typu „výsledky se jeví být přesné“ nebo „výsledné teploty z časové analýzy se téměř shodovaly“ není vhodné v exaktním oboru používat. Měly by zde být konkrétní čísla namísto termínů „téměř“ apod. Na základě výše uvedeného hodnotím práci za C (78 bodů).
eVSKP id 127422