ČECH, V. Statické a dynamické vlastnosti proudových zdrojů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2009.
V bakalářské práci měl student za úkol popsat různá zapojení proudových zdrojů a jejich vlastnosti a vysvětlit specifické rysy proudových zdrojů používaných v integrovaných obvodech. Vlastnosti proudových zdrojů měl simulovat na počítači a simulacemi ověřit teorii. Zadání práce v podstatných rysech splnil. Práce navazuje na předcházející semestrální projekt. V bakalářské práci se snažil odstranit nedostatky, které mu byly v lednu 2009 při obhajobě semestrálního projektu vytýkány. V práci popisuje ideální proudový zdroj a tři typy proudových zrcadel s bipolárními tranzistory a pět typů proudových zrcadel s tranzistory řízenými elektrickým polem. V programu Spice simuloval Wilsonovo proudové zrcadlo s tranzistory bipolárními a s tranzistory MOSFET. K výpočtům shrnutým 6. kapitole použil program Snap. Pracoval do značné míry samostatně, podle potřeby využíval konzultací. Větší část práce si však ponechal až na závěr letního semestru, což vedlo k určité časové tísni. V práci se například nezmiňuje o jiných zapojeních proudových zdrojů než o proudových zrcadlech. Určitě by také bylo užitečné pomocí simulací ve Spice porovnat vlastnosti různých typů proudových zrcadel popisovaných v teoretické části práce a neomezit se pouze na Wilsonovo zrcadlo. Porovnání různých typů je pouze v tabulkách v 6. kapitole. Vzhledem k časové tísni na větší rozsah simulací nezbýval čas. Konkrétní posouzení prezentovaných simulací ponechávám na oponentovi práce. Po stránce formální práce obsahuje všechny náležitosti, které jsou fakultními směrnicemi předepsány. Členění do kapitol a odstavců je přehledné, jednotlivé části na sebe logicky navazují. Práce je kvalitně zpracována a vytištěna. Na přiloženém CD je jeden soubor s bakalářskou prací. Teorie proudových zrcadel s unipolárními tranzistory je vyložena na zapojeních s tranzistoru JFET, simulace jsou provedeny s tranzistorem MOSFET, což však není zásadní nedostatek. Poněkud matoucí však může být vyznačení stejnosměrných proudů tekoucích do hradel tranzistorů. S proudových zdrojů se vcelku dobře seznámil, prostudoval doporučenou odbornou literaturu a informace čerpal také z internetu.
| Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
|---|---|---|---|
| Splnění zadání | B | 40/50 | |
| Aktivita během řešení a zpracování práce (práce s literaturou, využívání konzultací, atd.) | E | 10/20 | |
| Formální zpracování práce | B | 16/20 | |
| Využití literatury | C | 7/10 |
Po vysvětlení principů proudových zdrojů v první kapitole autor pokračuje rozborem vlastností proudových zrcadel s bipolárními a s unipolárními tranzistory. Vlastnosti jednotlivých zapojení dokumentuje modelováním na počítači. Poměrně malý počet citovaných pramenů odpovídá rozsahu práce. Přestože práce svým obsahem vyhovuje smyslu zadání, obsahuje řadu chyb a nepřesností: - Popisy obrázků jsou nedostatečné a velmi často neodpovídají parametrům uvedeným na osách. Většině grafů je proto velmi obtížné porozumět. Dostatečné vysvětlení není ve většině případů uvedeno ani v textu. - Graf na obr. 1.1. je špatně, graf na obr. 1.2. bude platit jen za zcela speciálních podmínek. To platí i pro souhrnný graf na obr. 1.3. - V kapitole "4 Proudová zrcadla s tranzistory CMOS" jsou pro tyto tranzistory použity značky, které se obvykle používají pro tranzistory J-FET. Po grafické stránce byla práci věnována náležitá pozornost. Členění kapitol je logické. Jsou využity barevné grafy a schémata.
| Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
|---|---|---|---|
| Splnění požadavků zadání | A | 19/20 | |
| Odborná úroveň práce | C | 35/50 | |
| Formální zpracování práce | A | 9/10 | |
| Interpretace výsledků a jejich diskuse | F | 7/20 |
eVSKP id 22392