ŠIŠKA, J. Procesní detekce vizuálních vad SiC desek [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2025.
Diplomová práce Bc. Jiřího Šišky si klade za cíl optimalizovat detekci povrchových a strukturálních defektů na waferech karbidu křemíku, což je v dnešní době relativně nová technologie výroby polovodičových komponent. Vzhledem k nutnosti vývoje nových metod výroby polovodičů na domácí půdě (nebo v EU) je tato práce nejen praktická, ale také s velkým přínosem pro takto strategický sektor. Diplomant si toto zadání přinesl z průmyslu a již od první chvíle bylo jisté, že jeho přístup je nejen praktický, iniciativní a samostatný, ale také splňující všechny požadavky kladené na budoucího magistra. Práce obsahuje teoretický úvod až do strany 57. Ač je takový úvod daleko za doporučeným rozsahem, tyto strany jsou čtivé a věcně popisují relevantní metody i samotnou technologii SiC polovodičů. V realizační části pak diplomant navrhnul kombinaci analytického přístupu zpracování obrazu a konvolučních neuronových sítí. Škoda jen, že byl k dispozici jen omezený počet waferů a navíc často kontaminovaných, což není chyba na straně studenta, ale je to kvůli průtahům při ustanovení sériové výroby waferů. Diplomant, vzhledem k naštěstí omezenému času na vypacování práce, skončil na straně 130. Takto nadstandardní rozsah však v tomto případě není na škodu. Jako vedoucí práce nemám výhrad k postupům, dosaženým výsledkům ani k dokumentační stránce této diplomové práce.
Diplomová práce Bc. Jiřího Šišky se zabývá detekcí a klasifikaci defektů na SiC waferech. Zadání je poměrně rozsáhlé a netriviální. V první části práce student čtenáře seznamuje s problematikou obecného zpracování obrazu se zaměřením na telecentrické zobrazování a polarizaci světla, a dále s metodami použitými v dalším řešení. V kapitole 3 je potom popsán proces výroby SiC waferů a možné defekty které z něj plynou. Literární rešerše je vhodně zpracovaná, vykazuje dobré praktiky práce s literaturou a samotné literární zdroje se zdají přiměřeně zvoleny. V praktické části práce od kapitoly 4 je popsáno zařízení na kontrolu waferů a sběr dat, a v následujících kapitolách jsou popsány defekty (kapitola 5) a navrhované a implementované algoritmy k detekci jednotlivých defektů konvenčními metodami strojového vidění (kapitola 6). V kapitolách 6.1.x jsou detailně popsány způsoby hledání jednotlivých typů defektů, metody jsou voleny velmi rozumně a smysluplně. Přehlednosti by napomohlo tento detailní textový popis doplnit jednoduchým blokovým schématem nebo jinou grafickou formou. V práci trochu chybí informace o velikostech zmiňovaných defektů, které bych osobně pokládal za zajímavé. Taktéž není zmíněno rozlišení kamery, ale obé se dá odhadnout z přiložených obrázků a známého průměru waferu. Kapitola 6 také obsahuje návrh řešení problému metodami strojového učení (metody detekce objektu a detekce anomálie). V následující kapitole student vyhodnocuje oba přístupy – zde trochu schází side-by-side srovnání analytického a CNN přístupu. Ke zvoleným metodám a jejich implementaci nemám výtek. Obecně je práce na vysoké jazykové úrovni s naprosto minimálním výskytem překlepů nebo neformálních výrazů. Také typograficky je práce na dobré úrovní. Celkově psaný projev a logické členění napomáhají příjemnému čtení diplomové práce. Na přiloženém nosiči jsou potom kompletní technická řešení s daty a výstupy jednotlivých metod – zde opět oceňuji velmi důkladný přístup studenta. Autor dle mého názoru jednoznačně projevil inženýrské schopnosti. Zejména oceňuji řešení aktuálního problému ze zajímavé oblasti průmyslu, které zdá se vést k funkční aplikaci. Zadání považuji za splněné a práci doporučuji k obhajobě s 96b a známkou A.
eVSKP id 168276