PTÁČEK, K. Vysokonapěťové struktury pro galvanickou iziolaci v integrovaných obvodech [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2020.
Pan Karel Ptáček zahájil doktorské studium v roce 2012. Zaměření jeho studia bylo orientováno na vysokonapěťové struktury pro galvanickou izolaci v integrovaných obvodech. Toto téma bylo zároveň použito jako název dizertační práce. Práce vznikla ve společnosti ON-semiconductor se všemi výhodami a nevýhodami průmyslového prostředí, zahrnující špičková technologická zařízení, know-how pracoviště a fundované spolupracovníky ale také mnoho jiných úkolů a problémy související s nakládáním s utajovaným informacemi. Pan Karel Ptáček se v technice vysokonapěťových integrovaných obvodů velmi dobře orientuje. Již před zahájením doktorského studia byl autorem originálních obvodových řešení na oddělení a zpracování velkého napětí přímo na čipu. Přesto však, vzhledem k velkému pracovnímu vytížení a také vzhledem ke značnému rozsahu práce, nebylo reálné odevzdat práci v řádném termínu na konci čtvrtého ročníku doktorského studia a bylo nutné věnovat experimentům a jejich vyhodnocení více časového prostoru. Během řešení své dizertační práce pan Karel Ptáček prokázal, že je schopen vykonávat práci s charakterem vědecké činnosti. Jeho dizertační práci přinesla originální řešení pro oddělení napěťových úrovní v řádu kilovoltů primo na čipu. Podstatné části práce byly publikovány. Na několik obvodových řešení vzniklých v rámci práce byla udělena patentová ochrana. Práci pana Karla Ptáčka doporučuji k obhajobě.
viz příloha pdf
viz příloha pdf
eVSKP id 122324